特許

J-GLOBAL ID：201303067177366043

酸化物半導体薄膜

発明者： 砂川 美佐 ,  松崎 滋夫 ,  西村 麻美
出願人/特許権者： 出光興産株式会社
代理人 (3件)： 渡辺 喜平 ,  田中 有子 ,  佐藤 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-041366
公開番号（公開出願番号）：特開2013-225664
出願日： 2013年03月04日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：

【課題】CVD成膜時に優れた耐還元性を有する酸化物半導体薄膜を提供する。【解決手段】インジウム、亜鉛、スズ及びガリウムから選択される2種以上の金属元素と、酸素元素と、を含有する酸化物半導体薄膜であって、この薄膜の表面に、リン酸塩、ケイ酸塩及びホウ酸塩から選択される1種類以上の塩を含む皮膜を有する、酸化物半導体薄膜。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

インジウム、亜鉛、スズ及びガリウムから選択される2種以上の金属元素と、酸素元素と、を含有する酸化物半導体薄膜であって、 前記薄膜の表面に、リン酸塩、ケイ酸塩及びホウ酸塩から選択される1種類以上の塩を含む皮膜を有する、酸化物半導体薄膜。

IPC (3件)：

H01L 21/363 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

FI (3件)：

H01L21/363 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 619A

Fターム (70件)：

5F103AA08 ,  5F103BB22 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN05 ,  5F103PP03 ,  5F103PP15 ,  5F103PP20 ,  5F103RR05 ,  5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110BB09 ,  5F110BB10 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE07 ,  5F110EE08 ,  5F110EE14 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF23 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG06 ,  5F110GG25 ,  5F110GG28 ,  5F110GG29 ,  5F110GG43 ,  5F110HK01 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK21 ,  5F110HK41 ,  5F110HL01 ,  5F110HL02 ,  5F110HL03 ,  5F110HL04 ,  5F110HL06 ,  5F110HL07 ,  5F110HL11 ,  5F110HL26 ,  5F110NN03 ,  5F110NN04 ,  5F110NN22 ,  5F110NN23 ,  5F110NN24 ,  5F110NN27 ,  5F110NN33 ,  5F110NN34 ,  5F110NN35 ,  5F110NN36 ,  5F110NN40 ,  5F110NN43