特許

J-GLOBAL ID：201303068364312689

サポート基板、半導体装置の製造方法、半導体装置の検査方法

発明者： 江崎 朗
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 特許業務法人サクラ国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-065934
公開番号（公開出願番号）：特開2013-197511
出願日： 2012年03月22日
公開日（公表日）： 2013年09月30日
要約：

【課題】ウェハの薄化から半導体装置の電気特性の検査まで一貫してウェハを補強することができるサポート基板、半導体装置の製造方法及び半導体装置の検査方法を提供すること。【解決手段】実施形態に係るサポート基板は、外径が半導体基板の直径よりも大きく、内径が前記半導体基板の直径よりも2〜6mm小さい第1の支持基板と、外径が前記第1の支持基板の内径以下であり、表面から裏面にかけて貫通する複数の貫通孔が形成され、前記第1の支持基板と同じ材質及び厚みの第2の支持基板とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

外径が半導体基板の直径よりも大きく、内径が前記半導体基板の直径よりも2〜6mm小さい第1の支持基板と、 外径が前記第1の支持基板の内径以下であり、表面から裏面にかけて貫通する複数の貫通孔が形成され、前記第1の支持基板と同じ材質及び厚みの第2の支持基板と を有するサポート基板。

IPC (4件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/683 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/301

FI (4件)：

H01L21/02 C ,  H01L21/68 N ,  H01L21/304 622J ,  H01L21/78 Q

Fターム (17件)：

5F031CA02 ,  5F031DA13 ,  5F031DA15 ,  5F031FA30 ,  5F031HA78 ,  5F031MA22 ,  5F031MA33 ,  5F031MA34 ,  5F031MA37 ,  5F031MA38 ,  5F057BA21 ,  5F057CA14 ,  5F057CA27 ,  5F057CA31 ,  5F057DA11 ,  5F057FA22 ,  5F057FA30