特許

J-GLOBAL ID：201303068770030376

改善された抽出効率を持つ発光装置

発明者： ガードナー ネイザン フレドリック ,  エプラー ジョン エドワード ,  マクローリン メルヴィン バーカー ,  キャムラス マイケル デヴィッド ,  ダヴィッド オーレリアン ジャン フランソワ ,  ゲッツ ヴァーナー カール ,  グルンドマン マイケル ジェイソン
出願人/特許権者： コーニンクレッカ フィリップス エヌ ヴェ
代理人 (2件)： 津軽 進 ,  笛田 秀仙
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-535581
公開番号（公開出願番号）：特表2013-541221
出願日： 2011年11月01日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：

本発明の実施例においては、n型領域とp型領域との間に配置されるIII族窒化物発光層を有する半導体構造が、基板上に成長させられる。前記基板は、III族窒化物ではない材料である。前記基板は、面内格子定数asubstrateを持つ。前記半導体構造内の少なくとも1つのIII族窒化物層は、バルク格子定数alayerを持ち、[(|asubstrate-alayer|)/asubstrate]*100%は、1%以下である。前記基板の、前記半導体構造が成長させられる面とは反対側の面は、テクスチャード加工される。

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に成長させられる半導体構造とを有する装置であり、前記半導体構造が、n型領域とp型領域との間に配置されるIII族窒化物発光層を有する装置であって、 前記基板が、III族窒化物ではない材料であり、

IPC (3件)：

H01L 33/22 ,  H01L 33/12 ,  H01L 33/32

FI (3件)：

H01L33/00 172 ,  H01L33/00 140 ,  H01L33/00 186

Fターム (9件)：

5F141AA03 ,  5F141AA40 ,  5F141CA40 ,  5F141CA64 ,  5F141CA65 ,  5F141CA66 ,  5F141CA74 ,  5F141CB11 ,  5F141CB36