特許
J-GLOBAL ID：201303069643333641
横型接合型電界効果トランジスタ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 伊藤 英彦
, 甲田 一幸
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-286520
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100638
特許番号：特許第4797232号
出願日： 2000年09月21日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
請求項（抜粋）：
【請求項1】ゲート電極を有する、第1導電型およびそれとは逆の導電型である第2導電型のうちのいずれか一方の導電型のSiC基板と、
前記SiC基板の上に形成された第1のSiC膜と、
前記第1のSiC膜の上に形成され、厚みを薄くされたチャネル領域および当該チャネル領域を両側から挟むソース、ドレイン領域を含む第1導電型の第2のSiC膜とを備え、
前記第1のSiC膜は、前記チャネル領域の下の部分に設けられた、そのチャネル領域とほぼ同じ幅で、そのチャネル領域より短い長さを有する領域であって、第2導電型不純物を前記チャネル領域の第1導電型不純物濃度の値よりも高く含む高濃度不純物領域と、当該高濃度不純物領域以外の高い電気抵抗を有する高抵抗領域とからなっている、横型接合型電界効果トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 21/337 ( 200 6.01)
, H01L 29/808 ( 200 6.01)
, H01L 29/16 ( 200 6.01)
H01L 29/80 C
, H01L 29/16
