特許
J-GLOBAL ID:201303070104573068
半導体モジュール
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
小林 博通
, 鵜澤 英久
, 橋本 剛
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-043191
公開番号(公開出願番号):特開2013-179230
出願日: 2012年02月29日
公開日(公表日): 2013年09月09日
要約:
【課題】圧接により半導体素子のゲート電極層とゲート電極端子とを電気的に接続する半導体モジュールの組立利便性を向上し、動作信頼性を向上する。【解決手段】半導体素子2のゲート電極層8に、ゲート電極ポスト3を設ける。ゲート電極ポスト3を覆うように半導体素子2上に絶縁ケース4を設ける。絶縁ケース4のゲート電極層8と対向する面に溝4aを形成し、この溝4aにゲート電極ポスト3をゲート電極層8に圧接するばね5を設ける。絶縁ケース4に、ゲート電極端子6が挿通する挿通孔4bを形成し、絶縁ケース4を挿通してゲート電極端子6をゲート電極ポスト3に圧接し、ゲート電極端子6とゲート電極層8とをゲート電極ポスト3を介して電気的に接続する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体素子と、
当該半導体素子のゲート電極層と電気的に接続されるゲート電極端子と、
を備えた半導体モジュールであって、
前記ゲート電極層と前記ゲート電極端子との間に介在するゲート電極ポストと、
当該ゲート電極ポストを、前記ゲート電極層に圧接する弾性部材と、を有する
ことを特徴とする半導体モジュール。
IPC (4件):
H01L 23/48
, H01L 21/60
, H01L 25/07
, H01L 25/18
FI (3件):
H01L23/48 S
, H01L21/60 321E
, H01L25/04 C
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