特許
J-GLOBAL ID：201303070173021590
ダイオードおよびそれを用いた電力変換システム
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
井上 学
, 戸田 裕二
, 岩崎 重美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-000877
公開番号（公開出願番号）：特開2013-140901
出願日： 2012年01月06日
公開日（公表日）： 2013年07月18日
要約：
【課題】導通時の電力損失が増加することなくソフトリカバリ化できるダイオードを提供する。【解決手段】第1導電型の第1の半導体領域(101)と、第1の半導体領域(101)に設けられる第2導電型の第2の半導体領域(102)と、第1の半導体領域(101)に設けられ、第1の半導体領域(101)よりも不純物濃度が高い第1導電型の第3の半導体領域(105)と、第2の半導体領域(102)にオーミック接続する第1の主電極(106)と、第3の半導体領域(105)にオーミック接続する第2の主電極(107)とを有するダイオードにおいて、第1の半導体領域(101)と第2の半導体領域(102)との間において部分的に、第1の半導体領域(101)よりも不純物濃度が高い第1導電型の第4の半導体領域(104)が設けられる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の第1の半導体領域と、前記第1の半導体領域に設けられる第2導電型の第2の半導体領域と、前記第1の半導体領域に設けられ、前記第1の半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第1導電型の第3の半導体領域と、前記第2の半導体領域にオーミック接続する第1の主電極と、前記第3の半導体領域にオーミック接続する第2の主電極とを有するダイオードにおいて、
前記第1の半導体領域と前記第2の半導体領域との間において部分的に、前記第1の半導体領域よりも不純物濃度が高い前記第1導電型の第4の半導体領域が設けられることを特徴とするダイオード。
IPC (6件)：
H01L 29/861
, H01L 29/868
, H01L 27/04
, H01L 29/78
, H01L 21/329
, H01L 29/866
H01L29/91 D
, H01L29/78 657D
, H01L29/90 D
, H01L29/91 K
