特許
J-GLOBAL ID：201303070311365742

半導体装置

発明者：
加藤 宏

加藤 宏 について


出願人/特許権者：
ルネサスエレクトロニクス株式会社

ルネサスエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (8件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  酒井 將行 ,  荒川 伸夫 ,  佐々木 眞人 ,  野田 久登
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-202458
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026260
特許番号：特許第4786015号
出願日： 2000年07月04日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 第1の外部電源から第1の外部電源電位の供給を受けて動作する半導体装置であって、 前記第1の外部電源電位を伝達する外部電源配線と、 前記外部電源配線から受けた前記第1の外部電源電位を内部電源電位に変換して内部電源配線に供給する電圧発生回路とを備え、 前記電圧発生回路は、 前記外部電源配線から前記第1の外部電源電位を受けて、前記内部電源電位の設定電位レベルに応じた参照電位信号を第1の中間ノードに生成する参照電位発生部と、 前記内部電源配線前記および第1の中間ノードの電位レベル差に応じた電流量を前記外部電源配線から前記内部電源配線に供給する電圧変換回路と、 第1の制御信号の活性化期間中において、前記電圧変換回路に対して第1の動作電流を供給する第1の電流供給回路と、 前記第1の外部電源が起動されてから前記内部電源配線の電位レベルが所定レベルに到達するまでの間、前記第1の制御信号を活性化する第1の起動制御回路とを含み、 前記第1の起動制御回路は、前記第1の中間ノードとは独立した第1の基準ノードと前記内部電源配線との電位レベルの比較によって、前記第1の外部電源の前記起動を検知し、 前記第1の基準ノードは、前記参照電位信号の生成とは独立した第1の直流電位を伝達し、 前記内部電源配線から前記内部電源電位を受けて動作する内部回路をさらに備え、 前記第1の制御信号は、活性状態に対応する第1の電位レベルと、非活性状態に対応する前記第1の電位レベルよりも低い第2の電位レベルとを有し、 前記第1の起動制御回路は、 前記内部電源配線と電気的に結合されたゲートを有し、前記第1の基準ノードと第1の内部ノードとの間に電気的に結合される第1の電界効果型トランジスタと、 前記内部電源配線と電気的に結合されたゲートを有し、前記第1の内部ノードと前記第2の電位レベルを供給する電位供給ノードとの間に電気的に結合される第2の電界効果型トランジスタと、 前記第1の内部ノードと電気的に結合されたゲートを有し、第2の内部ノードと前記電位供給ノードとの間に電気的に結合される第3の電界効果型トランジスタと、 前記内部電源配線と電気的に結合されたゲートを有し、第3の内部ノードと前記電位供給ノードとの間に電気的に結合される第4の電界効果型トランジスタと、 前記第2および第3の内部ノードの電位レベルに応じて、前記第2および第3の内部ノードの電位レベルを前記第1および第2の電位レベルの一方ずつに設定し保持するラッチ回路と、 前記第3の内部ノードの電位レベルに応じて、前記第1の制御信号を生成する信号バッファとを有する、半導体装置
IPC (3件)：
H01L 21/822 ( 200 6.01) ,  H01L 27/04 ( 200 6.01) ,  G05F 1/56 ( 200 6.01)
FI (2件)：
H01L 27/04 B ,  G05F 1/56 310 J
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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