特許
J-GLOBAL ID:201303070467981133

溶液処理薄膜および積層体、薄膜および積層体を備えた装置、その使用および製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 杉村 憲司 ,  冨田 和幸
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-211362
公開番号(公開出願番号):特開2013-048252
出願日: 2012年09月25日
公開日(公表日): 2013年03月07日
要約:
【課題】ハフニウムおよび/もしくはジルコニウムオキシヒドロキシ化合物を備える薄膜または積層構造体を有する装置およびかかる装置の製造方法を提供する。【解決手段】ハフニウムおよびジルコニウム化合物は、通常ランタンのような他の金属でドープすることができる。電子装置またはそれを作製し得る構成材の例には、限定することなく、絶縁体、トランジスタおよびコンデンサがある。ポジ型もしくはネガ型レジストまたは装置の機能的構成材としての材料を用いて装置をパターン化する方法、例えば、インプリントリソグラフィー用のマスタープレートを作製することができ、腐食バリアを有する装置の製造方法の実施形態。光学基板およびコーティングを備える光学的装置の実施形態であり、電子顕微鏡を用いて寸法を正確に測定する物理的ルーラーの実施形態。【選択図】図1
請求項(抜粋):
少なくとも一つのハフニウムおよび/またはジルコニウムオキシヒドロキシ硫酸塩(MO2-x-z/2(OH)z(SO4)x)化合物、ハフニウムおよび/またはジルコニウムオキシヒドロキシタングステン酸塩(MO2-x-z/2(OH)z(WO4)x)化合物、ハフニウムおよび/またはジルコニウムオキシヒドロキシホウ酸塩(MO2-3x/2-z/2(OH)z(BO3)x)化合物、ハフニウムおよび/またはジルコニウムオキシヒドロキシリン酸塩(MO2-3x/2-z/2(OH)z(PO4)x)化合物および/またはハフニウムおよび/またはジルコニウムオキシヒドロキシケイ酸塩(MO2-2x-z/2(OH)z(SiO4)x)化合物で、Mがハフニウムまたはジルコニウム、xおよびzが固定もしくは可変で、xが約0.1〜約3.5/(多原子イオン電荷)の範囲のいずれかの値を取り、zが0.0〜約3.8の範囲のいずれかの値を取る化合物を含む薄膜または積層構造体を備えた装置。
IPC (8件):
H01L 21/316 ,  C03C 17/34 ,  C03C 25/24 ,  C01G 27/00 ,  C01G 25/00 ,  C01B 13/14 ,  G02B 1/11 ,  B05D 3/06
FI (8件):
H01L21/316 G ,  C03C17/34 Z ,  C03C25/02 B ,  C01G27/00 ,  C01G25/00 ,  C01B13/14 Z ,  G02B1/10 A ,  B05D3/06 101Z
Fターム (61件):
2K009AA02 ,  2K009BB02 ,  2K009BB12 ,  2K009BB22 ,  2K009CC02 ,  2K009CC03 ,  2K009DD03 ,  2K009DD04 ,  2K009DD12 ,  4D075BB21Z ,  4D075BB46Z ,  4D075BB47Z ,  4D075BB66Z ,  4D075BB92Z ,  4D075BB93Z ,  4D075CA23 ,  4D075DA06 ,  4D075DB01 ,  4D075DB14 ,  4D075DC22 ,  4D075EA06 ,  4D075EB01 ,  4D075EC02 ,  4G042DA02 ,  4G042DA03 ,  4G042DB10 ,  4G042DB26 ,  4G042DC03 ,  4G042DD02 ,  4G042DE04 ,  4G042DE06 ,  4G042DE14 ,  4G048AA02 ,  4G048AA03 ,  4G048AA05 ,  4G048AB02 ,  4G048AB03 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AE06 ,  4G059AA08 ,  4G059AA11 ,  4G059AB09 ,  4G059AC04 ,  4G059AC05 ,  4G059GA02 ,  4G059GA04 ,  4G059GA05 ,  4G059GA12 ,  4G060AA01 ,  4G060AC04 ,  4G060AD22 ,  4G060AD41 ,  4G060CA00 ,  4G060CA10 ,  5F058BC03 ,  5F058BD05 ,  5F058BF46 ,  5F058BF75 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ01
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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