特許
J-GLOBAL ID:201303070841414019

磁気記録媒体に用いる低飽和磁束密度を有する軟磁性膜層用合金およびスパッタリングターゲット材

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 椎名 彊
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-022096
公開番号(公開出願番号):特開2013-161497
出願日: 2012年02月03日
公開日(公表日): 2013年08月19日
要約:
【課題】 磁気記録媒体に用いる低飽和磁束密度を有する軟磁性膜層用合金およびスパッタリングターゲット材を提供する。【解決手段】 at%で、Y,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Ni,Cu,Al,B,C,Si,P,Zn,Ga,Ge,Snを1種以上、残部CoおよびFeからなり、下記の式(1)〜(3)を満たすことを特徴とした磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金。(1)0.50≦Fe%/(Fe%+Co%)≦0.90、(2)5≦TAM≦25、(3)15≦TAM+TNM≦25ただし、TAM=Y%+Ti%+Zr%+Hf%+V%+Nb%+Ta%+B%/2TNM=Cr%+Mo%+W%+Mn%+Ni%/3+Cu%/3+Al%+C%+Si%+P%+Zn%+Ga%+Ge%+Sn%【選択図】 図1
請求項(抜粋):
at%で、Y,Ti,Zr,Hf,V,Nb,Ta,Cr,Mo,W,Mn,Ni,Cu,Al,B,C,Si,P,Zn,Ga,Ge,Snを1種以上、残部CoおよびFeからなり、下記の式(1)〜(3)を満たすことを特徴とした磁気記録媒体における軟磁性薄膜層用合金。 (1)0.50≦Fe%/(Fe%+Co%)≦0.90 (2)5≦TAM≦25 (3)15≦TAM+TNM≦25 ただし、 TAM=Y%+Ti%+Zr%+Hf%+V%+Nb%+Ta%+B%/2 TNM=Cr%+Mo%+W%+Mn%+Ni%/3+Cu%/3+Al%+C%+Si%+P%+Zn%+Ga%+Ge%+Sn%
IPC (5件):
G11B 5/738 ,  C22C 45/02 ,  C23C 14/34 ,  C23C 14/14 ,  G11B 5/851
FI (5件):
G11B5/738 ,  C22C45/02 A ,  C23C14/34 A ,  C23C14/14 F ,  G11B5/851
Fターム (21件):
4K029AA09 ,  4K029AA24 ,  4K029BA21 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029CA05 ,  4K029DC07 ,  4K029FA01 ,  4K029FA04 ,  4K029GA00 ,  5D006CA03 ,  5D006CA05 ,  5D006DA03 ,  5D006DA08 ,  5D006EA03 ,  5D112AA03 ,  5D112AA24 ,  5D112BD03 ,  5D112BD08 ,  5D112FA04 ,  5D112FB02
引用特許:
出願人引用 (3件) 審査官引用 (6件)
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