特許

J-GLOBAL ID：201303071201296334

基材の処理方法、半導体装置および仮固定用組成物

発明者： 高橋 誠一郎 ,  藤山 等 ,  後藤 宏文
出願人/特許権者： JSR株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人SSINPAT
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-168479
公開番号（公開出願番号）：特開2013-033814
出願日： 2011年08月01日
公開日（公表日）： 2013年02月14日
要約：

【課題】基材の剥離時に基材の破損を良好に防ぐことが可能な、すなわち歩留まりのよい基材の処理方法を提供する。【解決手段】(1)支持体上に、シクロオレフィン重合体(A)および紫外線吸収剤(B)を含有する仮固定材を介して、基材を仮固定することにより、積層体を得る工程、(2)前記基材を加工し、および/または前記積層体を移動する工程、(3)支持体側から仮固定材に紫外線を照射する工程、ならびに(4)支持体から基材を剥離する工程をこの順で有する、基材の処理方法。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

(1)支持体上に、シクロオレフィン重合体(A)および紫外線吸収剤(B)を含有する仮固定材を介して、基材を仮固定することにより、積層体を得る工程、 (2)前記基材を加工し、および/または前記積層体を移動する工程、 (3)支持体側から仮固定材に紫外線を照射する工程、ならびに (4)支持体から基材を剥離する工程 をこの順で有する、基材の処理方法。

IPC (2件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304

FI (3件)：

H01L21/02 C ,  H01L21/02 B ,  H01L21/304 622J

Fターム (7件)：

5F057AA05 ,  5F057BA11 ,  5F057CA14 ,  5F057DA11 ,  5F057EC03 ,  5F057FA15 ,  5F057FA22

引用特許：

出願人引用 (2件)

• トリス(ヒドロキシフェニル)トリアジン
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-515186   出願人：チバホールディングインコーポレーテッド
• 半導体ウエハの裏面研削方法及び該方法に用いる粘着フィルム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-325399   出願人：三井東圧化学株式会社

審査官引用 (2件)

• 半導体ウエハの裏面研削方法及び該方法に用いる粘着フィルム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-325399   出願人：三井東圧化学株式会社
• トリス(ヒドロキシフェニル)トリアジン
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2008-515186   出願人：チバホールディングインコーポレーテッド