特許
J-GLOBAL ID：201303071846095473

クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置及びプログラム

発明者：
亀田 賢治

亀田 賢治 について

, 
浦野 裕司

浦野 裕司 について


出願人/特許権者：
株式会社日立国際電気

株式会社日立国際電気 について


代理人 (4件)： 油井 透 ,  阿仁屋 節雄 ,  清野 仁 ,  福岡 昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-151396
公開番号（公開出願番号）：特開2013-077803
出願日： 2012年07月05日
公開日（公表日）： 2013年04月25日
要約：
【課題】 処理室内に堆積した薄膜を除去する際、薄膜の除去に要する時間を短縮し、処理室を構成する石英部材が受ける不均一なエッチングダメージを抑制する。【解決手段】 基板上に薄膜を形成する処理を行った後の処理室内にクリーニングガスを供給して処理室内をクリーニングする方法であって、第1の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとしてフッ素系ガスと酸化窒素系ガスとを含むガスを供給し、処理室内の部材の表面に堆積した薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去する工程と、処理室内の温度を第1の温度よりも高い第2の温度に変更する工程と、第2の温度に加熱された処理室内にクリーニングガスとしてフッ素系ガスと酸化窒素系ガスとを含むガスを供給し、処理室内の部材の表面に残留した付着物を熱化学反応により取り除く工程と、を有する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
処理室内で基板上に薄膜を形成する処理を行った後の前記処理室内にクリーニングガスを供給して前記処理室内をクリーニングする方法であって、 第1の温度に加熱された前記処理室内に前記クリーニングガスとして、フッ素系ガスと酸化窒素系ガスとを、もしくは不活性ガスで希釈されたフッ素系ガスと酸化窒素系ガスとを供給し、前記処理室内の部材の表面に堆積した前記薄膜を含む堆積物を熱化学反応により除去する工程と、 前記処理室内の温度を前記第1の温度よりも高い第2の温度に変更する工程と、 前記第2の温度に加熱された前記処理室内に前記クリーニングガスとして、フッ素系ガスと酸化窒素系ガスとを、もしくは不活性ガスで希釈されたフッ素系ガスと酸化窒素系ガスとを供給し、前記薄膜を含む堆積物の除去後に前記処理室内の前記部材の表面に残留した付着物を熱化学反応により取り除く工程と、 を有するクリーニング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/31 ,  C23C 16/44
FI (2件)：
H01L21/31 B ,  C23C16/44 J
Fターム (18件)：
4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA06 ,  4K030FA10 ,  4K030KA04 ,  4K030KA23 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045AB33 ,  5F045AC05 ,  5F045AC12 ,  5F045BB15 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045EB06
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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