交換バイアスを有する磁気デバイス

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：村山靖彦 , 志賀正武 , 渡邊隆 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-129387
公開番号（公開出願番号）：特開2012-253357
出願日： 2012年06月06日
公開日（公表日）： 2012年12月20日
要約：

【課題】所与の厚さの反強磁性層に対する交換バイアスが増加した磁気デバイスを提案することによって従来技術の欠点を克服すること。【解決手段】本発明は、自由層として知られている、可変磁化方向を有する磁気層と、前記自由層と接触している、前記自由層の磁化方向をトラップすることができる第1の反強磁性層とを備えた磁気デバイスに関する。磁気デバイスは、さらに、安定化層として知られている、自由層とは反対側の面を介して第1の反強磁性層と接触している、強磁性体から作製される層を備えており、前記自由層および安定化層の磁化方向は実質的に垂直である。前記自由層および安定化層のうちの第1の層は磁化を有しており、その方向は、前記第1の層の平面内に配向されており、一方、前記自由層および安定化層のうちの2つの層の第2の層も磁化を有しており、その方向は、前記第2の層の平面外に配向されている。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

-自由層として知られている、可変磁化方向を有する磁気層(5)と、 -前記自由層(5)と接触している、前記自由層(5)の磁化方向をトラップすることができる第1の反強磁性層(6)と、を備える磁気デバイス(24、240)であって、前記自由層(5)とは反対側の面を介して前記第1の反強磁性層(6)と接触している安定化層(7)として知られている、強磁性材料で作製されたから作製される層(7)をさらに備え、前記自由層(5)および安定化層(7)の磁化方向が実質的に垂直であり、前記自由層(5)および安定化層(7)のうちの第1の層(5)が磁化を有し、その方向が前記第1の層(5)の平面に沿って配向され、一方、前記自由層(5)および安定化層(7)のうちの2つの層の第2の層(7)が磁化を有し、その方向が前記第2の層(7)の平面外に配向されることを特徴とする磁気デバイス(24、240)。

IPC (6件)：

H01L 43/08 , H01L 29/82 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , H01L 43/10 , G11B 5/39

FI (5件)：

H01L43/08 Z , H01L29/82 Z , H01L27/10 447 , H01L43/10 , G11B5/39

Fターム (52件)：

4M119AA03 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119BB03 , 4M119CC02 , 4M119CC05 , 4M119CC06 , 4M119DD02 , 4M119DD04 , 4M119DD06 , 4M119DD09 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD45 , 4M119EE03 , 4M119EE22 , 4M119EE29 , 5D034BA04 , 5D034BA08 , 5D034BA15 , 5D034BA21 , 5D034CA04 , 5D034CA08 , 5F092AA01 , 5F092AA15 , 5F092AB01 , 5F092AB02 , 5F092AB08 , 5F092AC08 , 5F092AC12 , 5F092AD03 , 5F092AD12 , 5F092AD23 , 5F092AD24 , 5F092AD25 , 5F092BB09 , 5F092BB10 , 5F092BB17 , 5F092BB22 , 5F092BB23 , 5F092BB31 , 5F092BB34 , 5F092BB35 , 5F092BB36 , 5F092BB38 , 5F092BB42 , 5F092BB43 , 5F092BC01 , 5F092BC07 , 5F092BE06 , 5F092BE13 , 5F092BE27

前のページに戻る