II-III-N半導体ナノ粒子および当該II-III-N半導体ナノ粒子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：特許業務法人原謙三国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-008468
公開番号（公開出願番号）：特開2013-129839
出願日： 2013年01月21日
公開日（公表日）： 2013年07月04日
要約：

【課題】新規のII-III-N半導体ナノ粒子および当該II-III-N半導体ナノ粒子の製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、窒化物半導体ナノ粒子(例えば、ナノ結晶)を提供する。当該窒化物半導体ナノ粒子は、新規の組成を有する新規のII-III-N化合物半導体(例えば、ZnGaN、ZnInN、ZnInGaN、ZnAlN、ZnAlGaN、ZnAlInN、または、ZnAlGaInN)によって形成されている。このようなタイプの化合物半導体ナノ粒子は、従来、知られていない。本発明は、また、II-III-N半導体ナノ粒子のサブグループであるII-N半導体ナノ結晶(例えば、ZnNナノ結晶)も開示している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

ZnNにて形成されている半導体ナノ粒子。

IPC (6件)：

C09K 11/54 , C09K 11/62 , C09K 11/64 , C09K 11/08 , C01B 21/06 , B82Y 20/00

FI (6件)：

C09K11/54 , C09K11/62 , C09K11/64 , C09K11/08 G , C01B21/06 A , B82Y20/00

Fターム (10件)：

4H001CA02 , 4H001CC07 , 4H001CC09 , 4H001CC14 , 4H001XA07 , 4H001XA12 , 4H001XA13 , 4H001XA30 , 4H001XA31 , 4H001XA49

引用文献：

審査官引用 (3件)

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