特許
J-GLOBAL ID：201303073228878435
半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
日向寺 雅彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-204530
公開番号（公開出願番号）：特開2013-065774
出願日： 2011年09月20日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
要約：
【課題】より低スイッチング損失の半導体装置およびその製造方法を提供する。【解決手段】実施形態の半導体装置は、ドリフト層と、ドリフト層の上に設けられたベース領域と、前記ベース領域の表面に選択的に設けられたソース領域と、前記ソース領域の表面から前記ベース領域を貫通し、前記ドリフト層に到達する第1トレンチ内にフィールドプレート絶縁膜を介して設けられたフィールドプレート電極と、前記第1トレンチ内において、前記フィールドプレート電極の上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、前記ゲート電極と前記フィールドプレート電極との間に介設された絶縁層と、前記ドリフト層の裏面側において、前記ドリフト層に電気的に接続されたドレイン電極と、前記ソース領域に接続されたソース電極と、を備える。前記ゲート電極には、前記ゲート電極の表面側から前記ドリフト層の前記裏面側に第2トレンチが形成されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電形のドリフト層と、
ドリフト層の上に設けられた第2導電形のベース領域と、
前記ベース領域の表面に選択的に設けられた第1導電形のソース領域と、
前記ベース領域の表面に選択的に設けられた第2導電形のコンタクト領域と、
前記ソース領域の表面から前記ベース領域を貫通し、前記ドリフト層に到達する第1トレンチ内にフィールドプレート絶縁膜を介して設けられたフィールドプレート電極と、
前記第1トレンチ内において、前記フィールドプレート電極の上にゲート絶縁膜を介して設けられたゲート電極と、
前記ゲート電極と前記フィールドプレート電極との間に介設された絶縁層と、
前記ドリフト層の裏面側において、前記ドリフト層に電気的に接続されたドレイン電極と、
前記ソース領域および前記コンタクト領域に接続されたソース電極と、
前記ソース領域の一部の上、前記ゲート絶縁膜の上、および前記ゲート電極の上に設けられた層間絶縁膜と、
を備え、
前記ゲート電極には、前記ゲート電極の表面側から前記ドリフト層の前記裏面側に向かって第2トレンチが形成され、
前記フィールドプレート電極の上部および前記絶縁膜の少なくともいずれかは、前記第1導電形の不純物元素を含有し、
前記フィールドプレート絶縁膜の上端は、前記フィールドプレート電極の上端よりも上側に位置し、
前記第2トレンチ内に、前記層間絶縁膜が埋め込まれている半導体装置。
IPC (1件)：
FI (3件)：
H01L29/78 652K
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652S
