特許
J-GLOBAL ID:201303073973765081
温度分布型超伝導体テラヘルツ発振器および温度分布型超伝導体テラヘルツ発振器の製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
▲吉▼川 俊雄
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2012-118983
公開番号(公開出願番号):特開2013-247472
出願日: 2012年05月24日
公開日(公表日): 2013年12月09日
要約:
【課題】単一の素子から複数の周波数のテラヘルツ波放射が可能であって、その周波数が制御可能な高温超伝導体テラヘルツ発振器および高温超伝導体テラヘルツ発振器を提供する。【解決手段】固有ジョセフソン接合を有する高温超伝導体BSCCOの単結晶10で形成され、ファブリペロー共振が励起される矩形メサ構造部12、および、矩形メサ構造部の上部に形成され、矩形メサ構造部に電力を供給し、メサ構造部から外部への熱拡散量を制御する金属電極22を備え、金属電極の面積を矩形メサ構造部の面積よりも小さくすることにより温度分布を不均一にし、発振周波数を定める空洞サイズを変化させる。【選択図】図1
請求項(抜粋):
固有ジョセフソン接合を有する高温超伝導体BSCCOの単結晶で形成され、ファブリペロー共振が励起される矩形メサ構造部、および、
前記矩形メサ構造部の上部に形成され、前記矩形メサ構造部に電力を供給し、前記メサ構造部から外部への熱拡散量を制御する金属電極を備え、
前記金属電極の面積を前記矩形メサ構造部の面積よりも小さくすることにより、前記矩形メサ構造部内の温度分布を不均一にし、発振周波数を定める空洞サイズを変化させることを特徴とする温度分布型超伝導体テラヘルツ発振器。
IPC (2件):
FI (2件):
Fターム (5件):
4M113AA00
, 4M113AC13
, 4M113BC04
, 4M113CA35
, 4M113CA42
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