特許

J-GLOBAL ID：201303074110789647

赤外線センサ

発明者： 本川 菜津子
出願人/特許権者： 旭化成エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人 谷・阿部特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-081660
公開番号（公開出願番号）：特開2013-211458
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
要約：

【課題】メサ形状を有し、PNまたはPIN接合を有するフォトダイオードを利用した赤外線センサについて、湿度耐性が向上する赤外線センサを提供すること。【解決手段】PNまたはPIN接合によるフォトダイオード構造を含むInSb系化合物半導体層20と、InSb系化合物半導体層20の上に組成物SiO2およびSiNからなる保護層40とを備え、保護層40は、バッファードフッ酸によるエッチングレートが7400〜7655Å/minであるSiO2と、SiNのバッファードフッ酸によるエッチングレートが1350〜2300/minであるSiNとを用いて積層される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

PNまたはPIN接合によるフォトダイオード構造を含むInSb系化合物半導体層と、前記InSb系化合物半導体層上に組成物SixO2および/またはSiyN4からなる保護層とを備え、 前記保護層は、バッファードフッ酸によるエッチングレートが7400〜7655Å/minである前記SixO2と、 前記SiyN4のバッファードフッ酸によるエッチングレートが1350〜2300Å/minである前記SiyN4と を用いて積層されることを特徴とする請求項1に記載の赤外線センサ。

IPC (2件)：

H01L 31/10 ,  G01J 1/02

FI (3件)：

H01L31/10 A ,  G01J1/02 C ,  G01J1/02 B

Fターム (17件)：

2G065AA04 ,  2G065AB02 ,  2G065BA09 ,  2G065BA14 ,  5F049MA03 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049MB12 ,  5F049NA07 ,  5F049NB10 ,  5F049PA03 ,  5F049QA02 ,  5F049QA06 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ12 ,  5F049SZ13 ,  5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 光センサ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-244388   出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社
• 赤外線センサIC
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-205937   出願人：旭化成エレクトロニクス株式会社