有機トランジスタ及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：渡邊和浩 , 星宮勝美 , 城澤達哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-268827
公開番号（公開出願番号）：特開2013-120882
出願日： 2011年12月08日
公開日（公表日）： 2013年06月17日
要約：

【課題】トップゲート構造を有し、高い移動度を有する有機トランジスタを提供する。【解決手段】基板1上に下地絶縁層3を積層形成する工程と、下地絶縁層3上にソース・ドレイン電極5a,5bを形成する工程と、ソース・ドレイン電極5a,5bを覆い、かつ下地絶縁層3に接するように有機半導体層7を積層形成する工程と、有機半導体層7上に、ゲート絶縁層9を積層形成する工程と、ゲート絶縁層9上にゲート電極11を形成する工程と、有機半導体層7を形成する前に、下地絶縁層3の有機半導体層7と接する面に表面処理を行う工程を備え、表面処理は、有機半導体層7と同一材料を用いて積層形成した2つの層の間の接着仕事をW1としたときに、有機半導体層7を、表面処理した下地絶縁層3上に形成した場合の下地絶縁層3と有機半導体層7との間の接着仕事W2が、W1≧W2の関係になるように行われる。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

支持体と、前記支持体の上に積層された第1の絶縁層と、前記第1の絶縁層の上に積層された有機半導体層と、前記有機半導体層に対し、部分的に接して設けられた一対のソース電極及びドレイン電極と、前記有機半導体層より上に積層された第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に設けられたゲート電極と、を備えた有機トランジスタであって、前記第1の絶縁層の前記有機半導体層と接する面に表面処理がなされており、前記表面処理は、前記有機半導体層と同一材料を用いて積層形成した2つの層の間の接着仕事をW1としたときに、前記有機半導体層を、表面処理した下地となる前記第1の絶縁層上に形成した場合の該第1の絶縁層と前記有機半導体層との間の接着仕事W2が、W1≧W2の関係となるようにする処理であることを特徴とする有機トランジスタ。

IPC (3件)：

H01L 21/336 , H01L 29/786 , H01L 51/05

FI (3件)：

H01L29/78 626C , H01L29/78 618B , H01L29/28 100A

Fターム (44件)：

5F110AA01 , 5F110BB01 , 5F110CC01 , 5F110CC05 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD06 , 5F110DD12 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110DD25 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110EE07 , 5F110EE08 , 5F110EE09 , 5F110EE42 , 5F110EE43 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF29 , 5F110GG05 , 5F110GG25 , 5F110GG42 , 5F110GG43 , 5F110GG44 , 5F110HK01 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK06 , 5F110HK07 , 5F110HK09 , 5F110HK32 , 5F110HK42

前のページに戻る