特許

J-GLOBAL ID：201303075727073050

貫通/埋込電極構造及びその製造方法

発明者： 盆子原 學 ,  中村 博文 ,  何 奇偉
出願人/特許権者： 株式会社ザイキューブ
代理人 (1件)： 泉 克文
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-004159
公開番号（公開出願番号）：特開2013-165265
出願日： 2013年01月14日
公開日（公表日）： 2013年08月22日
要約：

【課題】 半導体製造技術の微細化に応じてより高密度に配置可能な、低抵抗かつ高信頼性の貫通/埋込電極の構造と、その電極を低コストで製造する方法を提供する。【解決手段】 板状構造体50に設けられた、絶縁膜54を有する貫通孔51に、第1金属のペースト56を乾燥してなる多孔質の堆積層57を形成し、その堆積層57を覆うようにして第2金属のペーストを塗布充填する。その後、第2金属を第1金属の多孔質空隙部に含浸させる。【選択図】 図1A

請求項（抜粋）：

板状構造体の第1主面に配置された少なくとも1個の穴部に第1導電材を充填してから熱処理されて形成された多孔質の第1導電体と、 前記第1導電体の空隙に浸透される第2導電材で構成される第2導電体とを備え、 前記第2導電材は前記第1導電材とは異なっていることを特徴とする貫通/埋込電極構造。

IPC (6件)：

H01L 23/522 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/320 ,  H01L 23/12 ,  H05K 1/11 ,  H05K 3/40

FI (4件)：

H01L21/88 J ,  H01L23/12 Q ,  H05K1/11 N ,  H05K3/40 K

Fターム (53件)：

5E317AA24 ,  5E317BB01 ,  5E317BB04 ,  5E317BB16 ,  5E317BB18 ,  5E317BB19 ,  5E317CC17 ,  5E317CC25 ,  5E317CD27 ,  5E317CD32 ,  5E317GG09 ,  5E317GG20 ,  5F033JJ07 ,  5F033JJ11 ,  5F033JJ13 ,  5F033JJ14 ,  5F033JJ17 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ19 ,  5F033JJ20 ,  5F033JJ21 ,  5F033JJ31 ,  5F033MM30 ,  5F033NN03 ,  5F033NN07 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ07 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ13 ,  5F033QQ19 ,  5F033QQ37 ,  5F033QQ47 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ76 ,  5F033QQ80 ,  5F033QQ84 ,  5F033QQ85 ,  5F033RR04 ,  5F033SS11 ,  5F033SS25 ,  5F033SS27 ,  5F033TT07 ,  5F033VV16 ,  5F033WW01 ,  5F033XX01 ,  5F033XX03 ,  5F033XX09 ,  5F033XX10 ,  5F033XX11 ,  5F033XX19 ,  5F033XX34