特許

J-GLOBAL ID：201303076061284120

半導体装置の製造のための複合ウェハ

発明者： アレクセイ・コーディモフ ,  ジャマル・ラムダニ ,  キエルティ・スワミナサン
出願人/特許権者： パワー・インテグレーションズ・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人深見特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-273332
公開番号（公開出願番号）：特開2013-125971
出願日： 2012年12月14日
公開日（公表日）： 2013年06月24日
要約：

【課題】製造工程での薄いウエーハの機械的支持方法を提供する。【解決手段】複合ウェハは、垂直方向の第1の厚みおよび上面を有する第1の基板を含み、上面は、後の半導体材料エピタキシャル堆積のための状態に準備されている。第1の基板の下にキャリア基板102が配置される。キャリア基板102は、垂直方向の第1の厚みよりも大きい垂直方向の第2の厚みを有する。中間層が、第1の基板をキャリア基板に接合する。【選択図】図1D

請求項（抜粋）：

複合ウェハであって、 垂直方向の第1の厚みおよび上面を有する第1の基板を備え、前記上面は、後の半導体材料エピタキシャル堆積のための状態に準備されており、前記複合ウェハはさらに、 前記第1の基板の下に配置されたキャリア基板を備え、前記キャリア基板は、垂直方向の前記第1の厚みよりも大きい垂直方向の第2の厚みを有し、前記複合ウェハはさらに、 前記第1の基板を前記キャリア基板に接合する中間層を備える、複合ウェハ。

IPC (1件)：

H01L 21/02

FI (1件)：

H01L21/02 C