大規模FETアレイを用いた分析物測定のための方法および装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：葛和清司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-246417
公開番号（公開出願番号）：特開2013-064746
出願日： 2012年11月08日
公開日（公表日）： 2013年04月11日
要約：

【課題】分析物測定のための大規模FETに関する方法および装置を提供する。【解決手段】ChemFET(例えば、ISFET)アレイは、改良されたFETピクセル、ならびに測定感度および精度を向上させ、同時に顕著に小さいピクセルサイズおよび高密度アレイを容易にするアレイ設計に基づいた従来のCMOSプロセス技術により製造することができる。このようなアレイは、多様な化学的および/または生物学的プロセスにおいて、様々な種類の分析物の存在および/または濃度変化を検出するために用いることができる。1つの例において、chemFETアレイは、水素イオン濃度(pH)の変化、他の分析物濃度の変化および/またはDNA合成に関する化学的プロセスに関連した結合事象をモニターすることに基づいたDNAシークエンシング技術を促進する。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

装置であって、CMOSセンサ(105)のアレイ(100)を含み、各センサが、化学感応性電界効果トランジスタ(chemFET)(150)を含み、かつアレイ表面上の約10マイクロメーター×10マイクロメーター以下の面積を占める、前記装置。

IPC (3件)：

G01N 27/414 , G01N 27/28 , G01N 27/416

FI (5件)：

G01N27/30 301X , G01N27/30 301R , G01N27/30 301Y , G01N27/28 321F , G01N27/46 M

Fターム (22件)：

4B024AA11 , 4B024AA19 , 4B024AA20 , 4B024CA01 , 4B024CA20 , 4B024HA14 , 4B024HA19 , 4B029AA07 , 4B029BB20 , 4B029CC08 , 4B029FA15 , 4B063QA13 , 4B063QQ42 , 4B063QQ52 , 4B063QQ89 , 4B063QR08 , 4B063QR32 , 4B063QR62 , 4B063QS34 , 4B063QS38 , 4B063QS39 , 4B063QX04

引用特許：

審査官引用 (1件)

センサ・セル
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-389680 出願人：セイコーエプソン株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

A large transistor-based sensor array chip for direct extracellular imaging
The development of scalable sensor arrays using standard CMOS technology

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