特許
J-GLOBAL ID：201303076466574753

焼成体の製造方法

発明者：
丹保 浩行

丹保 浩行 について

, 
横山 義之

横山 義之 について

, 
坂井 雄一

坂井 雄一 について


出願人/特許権者：
富山県

富山県 について


代理人 (2件)： 宮田 信道 ,  山川 正男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-110357
公開番号（公開出願番号）：特開2013-239510
出願日： 2012年05月14日
公開日（公表日）： 2013年11月28日
要約：
【課題】凹凸パターンの表面が焼成時に粗面化するのを抑制し、表面がより緻密な焼成体を形成することの可能な焼成体の製造方法の提供。【解決手段】基板上にナノ粒子、有機物が含有されたペーストを塗布して乾燥させることによりペースト膜を形成する塗布乾燥工程と、凹凸パターンが表面に設けられたモールドをペースト膜に押圧することにより凹凸パターンが転写された転写膜を形成する押圧工程と、モールドを転写膜に押圧しながら焼成することにより凹凸パターンが形成された焼成体を作製する焼成工程と、モールドが焼成体から離型される離型工程と、を含み、焼成工程の焼成温度が、ナノ粒子の外側を構成する有機被覆と有機物の分解温度以上、かつ融点降下現象が現れるナノ粒子の内側を構成する核の焼結温度以上である100°C〜1500°Cの範囲内であることを特徴とする焼成体の製造方法。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板上にナノ粒子、有機物が含有されたペーストを塗布して乾燥させることによりペースト膜を形成する塗布乾燥工程と、凹凸パターンが表面に設けられたモールドをペースト膜に押圧することにより凹凸パターンが転写された転写膜を形成する押圧工程と、モールドを転写膜に押圧しながら焼成することにより凹凸パターンが形成された焼成体を作製する焼成工程と、モールドが焼成体から離型される離型工程と、を含み、 焼成工程の焼成温度が、ナノ粒子の外側を構成する有機被覆と有機物の分解温度以上、かつ融点降下現象が現れるナノ粒子の内側を構成する核の焼結温度以上である100°C〜1500°Cの範囲内であることを特徴とする焼成体の製造方法。
IPC (9件)：
H01L 21/027 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/288 ,  H01L 21/320 ,  H01L 21/768 ,  H03H 3/08 ,  B82Y 30/00 ,  B82Y 40/00 ,  B29C 59/02
FI (8件)：
H01L21/30 502D ,  H01L21/28 Z ,  H01L21/288 Z ,  H01L21/88 B ,  H03H3/08 ,  B82Y30/00 ,  B82Y40/00 ,  B29C59/02 Z
Fターム (56件)：
4F209AB11B ,  4F209AB16A ,  4F209AC06 ,  4F209AF01 ,  4F209AG01 ,  4F209AG05 ,  4F209AH33 ,  4F209AM27 ,  4F209AM28 ,  4F209AM30 ,  4F209PA02 ,  4F209PB01 ,  4F209PH27 ,  4F209PN06 ,  4F209PW06 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB08 ,  4M104BB09 ,  4M104BB13 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB17 ,  4M104BB18 ,  4M104BB36 ,  4M104DD51 ,  4M104DD61 ,  4M104DD63 ,  4M104DD78 ,  5F033HH00 ,  5F033HH03 ,  5F033HH04 ,  5F033HH07 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH13 ,  5F033HH14 ,  5F033HH15 ,  5F033HH16 ,  5F033HH17 ,  5F033HH18 ,  5F033HH19 ,  5F033HH20 ,  5F033HH21 ,  5F033PP26 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ73 ,  5F033QQ99 ,  5F146AA32 ,  5F146AA33 ,  5J097AA30 ,  5J097HA02
引用特許：
出願人引用 (5件)
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審査官引用 (5件)
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引用文献：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (1件)

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