特許

J-GLOBAL ID：201303076940143629

分布帰還型半導体レーザ及びOTDR装置

発明者： 奥田 哲朗
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 家入 健
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-098451
公開番号（公開出願番号）：特開2013-229357
出願日： 2012年04月24日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：

【課題】電流-光出力特性のキンク発生を防止することができる分布帰還形半導体レーザを提供すること。【解決手段】分布帰還形半導体レーザ100は、半導体積層構造体、反射膜11及び12を有する。反射膜11は一方の端面に設けられ、3%以上6%以下の反射率を有する。反射膜12は他方の端面に設けられ、反射膜11よりも高い反射率を有する。半導体積層構造体は、半導体基板1、回折格子21、n型ガイド層3、活性層4を有する。回折格子21は、反射膜11側に形成された、回折格子周期が短い領域21aを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

半導体積層構造体と、 前記半導体積層構造体の導波方向の第1の端面に設けられ、導波される光に対して3%以上6%以下の反射率を有する第1の反射膜と、 前記半導体積層構造体の導波方向の前記第1の端面の反対側の第2の端面に形成され、前記導波される光に対して前記第1の反射膜よりも高い反射率を有する第2の反射膜と、を備え、 前記半導体積層構造体は、 半導体基板の上部に形成された活性層と、 前記半導体基板の上部に前記活性層と隣接して積層された第1の半導体層と、 前記第1の半導体層と隣接して積層された第2の半導体層と、 前記第1の半導体層と前記第2の半導体層との間の境界面の前記第1の端面側の一部に形成された第1の回折格子と、を備える、 分布帰還形半導体レーザ。

IPC (2件)：

H01S 5/12 ,  G01M 11/00

FI (2件)：

H01S5/12 ,  G01M11/00 R

Fターム (10件)：

2G086CC03 ,  5F173AA26 ,  5F173AA47 ,  5F173AB13 ,  5F173AB23 ,  5F173AH14 ,  5F173AL04 ,  5F173AR05 ,  5F173AR07 ,  5F173AS10