特許

J-GLOBAL ID：201303077137436150

メモリ装置の動作方法及び該方法を行うための装置

発明者： 宋 仁達 ,  崔 ▲ジョン▼煥 ,  梁 潤碩
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (2件)： 渡邊 隆 ,  実広 信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-192902
公開番号（公開出願番号）：特開2013-069399
出願日： 2012年09月03日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：

【課題】制御ピンを通じて入力された1つの制御信号のレベルによって命令をイシューすることができるメモリ装置の動作方法及び該方法を行う装置を提供する。【解決手段】複数のクロックサイクルで入力されるODT入力のHとLの組み合わせに応じて、ODTコントローラによる終端抵抗の抵抗値変更、ODT回路のターンオフまたはターンオンを実行するか、パワーダウン中でも必要とされるメモリのリフレッシュ動作を実行するか等のメモリの動作制御を行う。【選択図】図8

請求項（抜粋）：

ODTピン(On Die Termination(ODT)pin)でODT信号を受信する段階と、 前記ODT信号によって、命令をイシュー(issue)するか、ODT回路を制御する段階と、 を含むメモリ装置の動作方法。

IPC (3件)：

G11C 11/401 ,  G11C 11/409 ,  G06F 12/06

FI (3件)：

G11C11/34 362Z ,  G11C11/34 354Q ,  G06F12/06 515H

Fターム (11件)：

5B060MM15 ,  5M024AA49 ,  5M024AA93 ,  5M024BB04 ,  5M024BB33 ,  5M024DD52 ,  5M024JJ02 ,  5M024PP01 ,  5M024PP02 ,  5M024PP03 ,  5M024PP07