特許

J-GLOBAL ID：201303077258935293

半導体発光素子

発明者： 菅原 保晴 ,  加藤 夕子
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 砂井 正之 ,  藤原 康高 ,  山下 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-155454
公開番号（公開出願番号）：特開2013-021252
出願日： 2011年07月14日
公開日（公表日）： 2013年01月31日
要約：

【課題】反射膜材が基板の側面へ付着するのを防止した半導体発光素子およびその製造方法を提供する。【解決手段】半導体発光素子10では、基板11は対向する第1および第2の面11a、11bと、第1の面11aから第2の面11b側に向かって略垂直に延在する第1の領域11c1と第1の領域11c1から第2の面11b側に向かって末広がり状に傾斜した第2の領域11c2を有する側面11cを備えている。第1導電型の第1半導体層と、活性層と、第2導電型の第2半導体層が順に積層された半導体積層体12が基板11の第1の面11aに形成されている。反射膜15が基板11の第2の面11bに形成されている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

対向する第1および第2の面と、前記第1の面から前記第2の面側に向かって略垂直に延在する第1の領域と前記第1の領域から前記第2の面側に向かって末広がり状に傾斜した第2の領域を有する側面を備えた基板と、 前記基板の前記第1の面に形成され、第1導電型の第1半導体層と、活性層と、第2導電型の第2半導体層が順に積層された半導体積層体と、 前記基板の前記第2の面に形成された反射膜と、 を具備することを特徴とする半導体発光素子。

IPC (1件)：

H01L 33/10

FI (1件)：

H01L33/00 130

Fターム (26件)：

5F041AA03 ,  5F041AA04 ,  5F041AA41 ,  5F041AA42 ,  5F041CA04 ,  5F041CA05 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F041CA74 ,  5F041CA76 ,  5F041CA88 ,  5F041CA92 ,  5F041CB15 ,  5F141AA03 ,  5F141AA04 ,  5F141AA41 ,  5F141AA42 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA40 ,  5F141CA65 ,  5F141CA74 ,  5F141CA76 ,  5F141CA88 ,  5F141CA92 ,  5F141CB15