特許
J-GLOBAL ID：201303077500144433
ウェーハのレーザー加工方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
松本 昂
, 大上 寛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-039971
公開番号（公開出願番号）：特開2013-175642
出願日： 2012年02月27日
公開日（公表日）： 2013年09月05日
要約：
【課題】保護膜乾燥において、高速回転による場合の不具合発生がなく、保護膜を効果的に機能させることを可能とするウェーハのレーザー加工方法を提供する。【解決手段】、該ウェーハの表面に液状の保護材料を塗布して保護膜を形成する保護膜被覆ステップと、該保護膜被覆ステップを実施した後、分割予定ライン上を被覆する該保護膜の部位を乾燥させて硬化させる保護膜部分乾燥ステップと、該保護膜部分乾燥ステップを実施した後、該ウェーハの分割予定ラインに沿って該保護膜側からレーザービームを照射し、該分割予定ラインに沿って該ウェーハにレーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、を含むことを特徴とするウェーハのレーザー加工方法。【選択図】図8
請求項（抜粋）：
ウェーハの表面に格子状に形成された複数の分割予定ラインに沿ってレーザービームを照射し、アブレーション加工を施してレーザー加工溝を形成するウェーハのレーザー加工方法であって、
該ウェーハの表面に液状の保護材料を塗布して保護膜を形成する保護膜被覆ステップと、
該保護膜被覆ステップを実施した後、該分割予定ライン上を被覆する該保護膜の部位を乾燥させて硬化させる保護膜部分乾燥ステップと、
該保護膜部分乾燥ステップを実施した後、該ウェーハの該分割予定ラインに沿って該保護膜側から該レーザービームを照射し、該分割予定ラインに沿って該ウェーハに該レーザー加工溝を形成するレーザー加工溝形成ステップと、
を含むことを特徴とするウェーハのレーザー加工方法。
IPC (3件)：
H01L 21/301
, B23K 26/00
, B23K 26/18
H01L21/78 B
, B23K26/00 D
, B23K26/18
, H01L21/78 M
4E068AD00
, 4E068AH00
, 4E068CF04
, 4E068DA10
