特許
J-GLOBAL ID：201303077690623790

化学機械研磨用水系分散体および化学機械研磨方法

発明者：
櫛田 悠貴

櫛田 悠貴 について

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星野 基樹

星野 基樹 について

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篠村 尚志

篠村 尚志 について

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野田 昌宏

野田 昌宏 について

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金野 智久

金野 智久 について


出願人/特許権者：
JSR株式会社

JSR株式会社 について


代理人 (3件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  松本 充史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-272158
公開番号（公開出願番号）：特開2013-145877
出願日： 2012年12月13日
公開日（公表日）： 2013年07月25日
要約：
【課題】半導体装置製造工程において、アルミニウム膜およびその合金膜に対する高研磨速度と孔食発生の抑制とを両立できると共に、良好な貯蔵安定性を有する化学機械研磨用水系分散体、およびそれを用いた化学機械研磨方法を提供する。【解決手段】本発明に係る化学機械研磨用水系分散体は、(A)砥粒0.1質量%以上10質量%以下と、(B)炭素数1〜5の有機基を有するリン酸エステル化合物0.01質量%以上2質量%以下と、を含有し、pHが1以上4以下である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
(A)砥粒0.1質量%以上10質量%以下と、 (B)炭素数1〜5の有機基を有するリン酸エステル化合物0.01質量%以上2質量%以下と、 を含有し、pHが1以上4以下である、化学機械研磨用水系分散体。
IPC (3件)：
H01L 21/304 ,  B24B 37/00 ,  C09K 3/14
FI (5件)：
H01L21/304 622D ,  H01L21/304 622X ,  B24B37/00 H ,  C09K3/14 550C ,  C09K3/14 550Z
Fターム (18件)：
3C058AA07 ,  3C058CA05 ,  3C058CB02 ,  3C058CB03 ,  3C058CB10 ,  3C058DA02 ,  3C058DA12 ,  3C058DA17 ,  5F057AA08 ,  5F057AA14 ,  5F057AA28 ,  5F057BA15 ,  5F057BB24 ,  5F057CA12 ,  5F057DA03 ,  5F057EA01 ,  5F057EA21 ,  5F057EA32
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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