特許

J-GLOBAL ID：201303077915626018

半導体モジュール及びその製造方法

発明者： 高山 泰史
出願人/特許権者： 日本特殊陶業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人明成国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-061802
公開番号（公開出願番号）：特開2013-070017
出願日： 2012年03月19日
公開日（公表日）： 2013年04月18日
要約：

【課題】表裏両面に電極を備えた半導体素子が発する熱に起因する応力による半導体モジュールの損傷を抑制する。【解決手段】半導体モジュールは、放熱器と、配線パターンが形成され、表裏両面に電極を有する配線基板と、配線基板の所定面側に配置された半導体素子と、配線基板の所定面上に配置され、半導体素子と配線パターンとを接続するための配線部、および配線基板の周囲に位置する絶縁接合部を有する接合部と、前記半導体素子の所定面側に配置された電極配線と、前記放熱器に接着されることなく載置された絶縁層と、を備える。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体モジュールであって、 放熱器と、 配線パターンが形成された配線基板と、 前記配線基板の所定面側に配置され、表裏両面に電極を有する半導体素子と、 前記配線基板の前記所定面上に配置され、前記半導体素子と前記配線パターンとを接続するための配線部、および前記配線部の周囲に位置する絶縁接合部を有する接合部と、 前記半導体素子の所定面側に配置された電極配線と、 前記放熱器に接着されることなく載置された絶縁層と、 を備える、半導体モジュール。

IPC (3件)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18 ,  H01L 23/40

FI (2件)：

H01L25/04 C ,  H01L23/40 A

Fターム (6件)：

5F136BA04 ,  5F136BB04 ,  5F136DA13 ,  5F136DA27 ,  5F136EA13 ,  5F136EA43