特許

J-GLOBAL ID：201303077920366121

圧電/電歪体膜の製造方法及びその製造に用いられる粉末組成物

発明者： 山 口 浩 文 ,  海 川 和 之 ,  逢 阪 幸 郎
出願人/特許権者： 日本碍子株式会社
代理人 (1件)： 高村 雅晴
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-054722
公開番号（公開出願番号）：特開2013-189325
出願日： 2012年03月12日
公開日（公表日）： 2013年09月26日
要約：

【課題】一般式AxBO3±δ(式中、0.90≦x≦1.20、δは酸素過剰量又は酸素欠損量を示すが0でありうる)で表され、AサイトがLi、Na及びKを含み、BサイトがNb及び/又はSbを含む基本組成を有する正方晶ペロブスカイトからなる特性の高い圧電/電歪体膜を簡素な工程で狙いの組成どおりに製造する方法を提供する。【解決手段】Liの量が基本組成に対してモル比で2倍以上となるように基本組成の構成元素を含む原料粉末を用意する。この原料粉末を仮焼して、斜方晶ペロブスカイトで構成される主相と、少なくともLi3NbO4及び/又はLi3SbO4で構成される異相とからなる仮焼物を形成する。この仮焼物を粉砕して、得られた仮焼/粉砕粉を含む被膜を基板上に形成する。この被膜を950°C以上で焼成して、正方晶ペロブスカイトからなる圧電/電歪体膜を形成する。【選択図】図1A

請求項（抜粋）：

一般式AxBO3±δ(式中、0.90≦x≦1.20、δは酸素過剰量又は酸素欠損量を示すが0でありうる)で表され、AサイトがLi、Na及びKを含み、BサイトがNb及び/又はSbを含む基本組成を有する正方晶ペロブスカイトからなる圧電/電歪体膜の製造方法であって、 Liの量が前記基本組成に対してモル比で2倍以上となるように前記基本組成の構成元素を含む原料粉末を用意する工程と、 前記原料粉末を仮焼して、斜方晶ペロブスカイトで構成される主相と、少なくともLi3NbO4及び/又はLi3SbO4で構成される異相とからなる仮焼物を形成する工程と、 前記仮焼物を粉砕して仮焼/粉砕粉を得る工程と、 前記仮焼/粉砕粉を含む被膜を基板上に形成する工程と、 前記被膜を950°C以上で焼成して、正方晶ペロブスカイトからなる圧電/電歪体膜を形成する工程と を有してなる、方法。

IPC (7件)：

C04B 35/00 ,  C01G 35/00 ,  H01L 41/187 ,  H01L 41/18 ,  H01L 41/39 ,  H01L 41/09 ,  H01L 41/083

FI (8件)：

C04B35/00 J ,  C01G35/00 C ,  H01L41/18 101B ,  H01L41/18 101Z ,  H01L41/22 A ,  H01L41/08 C ,  H01L41/08 S ,  H01L41/08 N

Fターム (45件)：

4G030AA02 ,  4G030AA03 ,  4G030AA04 ,  4G030AA08 ,  4G030AA09 ,  4G030AA10 ,  4G030AA11 ,  4G030AA13 ,  4G030AA14 ,  4G030AA16 ,  4G030AA17 ,  4G030AA19 ,  4G030AA20 ,  4G030AA21 ,  4G030AA22 ,  4G030AA25 ,  4G030AA27 ,  4G030AA28 ,  4G030AA29 ,  4G030AA30 ,  4G030AA31 ,  4G030AA32 ,  4G030AA42 ,  4G030AA43 ,  4G030BA10 ,  4G030CA01 ,  4G030CA08 ,  4G030GA03 ,  4G030GA04 ,  4G030GA08 ,  4G030GA11 ,  4G030GA15 ,  4G030GA16 ,  4G030GA20 ,  4G030GA27 ,  4G048AA04 ,  4G048AB02 ,  4G048AC01 ,  4G048AD03 ,  4G048AD06 ,  4G048AE05 ,  4G048AE08 ,  5D107AA01 ,  5D107BB02 ,  5D107CC01