特許

J-GLOBAL ID：201303078165159605

半導体デバイス製造システム及び半導体デバイス製造方法

発明者： 渡辺 真二郎 ,  飯田 到 ,  原田 宗生
出願人/特許権者： 東京エレクトロン株式会社
代理人 (2件)： 別役 重尚 ,  村松 聡
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-004148
公開番号（公開出願番号）：特開2013-143542
出願日： 2012年01月12日
公開日（公表日）： 2013年07月22日
要約：

【課題】過剰な腐食対策を要することなく半導体デバイスの製造に関するスループットの低下を防止することができる半導体デバイス製造システムを提供する。【解決手段】積層チップ13から半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造システム10は、チップ還元装置14及びチップ接合装置15を備え、チップ還元装置14は還元チャンバ24を有し、該還元チャンバ24内において各チップ11の端子27の表面の酸化膜を還元し、チップ接合装置15は還元チャンバ24から隔離されたリフローチャンバ25を有し、該リフローチャンバ25内において各チップ11の端子27への半田バンプ26の接合を行い、チップ接合装置15はチップ還元装置14とは別に設けられる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

端子に半田バンプが接合された半導体デバイスを製造する半導体デバイス製造システムにおいて、 第1の処理室を有し、該第1の処理室内において前記端子の表面の酸化膜を還元する還元装置と、 該還元装置とは別に設けられるとともに、前記第1の処理室から隔離された第2の処理室を有し、該第2の処理室内において前記端子への前記半田バンプの接合を行う接合装置とを備えることを特徴とする半導体デバイス製造システム。

IPC (10件)：

H01L 21/60 ,  B23K 1/00 ,  B23K 1/008 ,  B23K 1/20 ,  B23K 31/02 ,  B23K 3/00 ,  H05K 3/34 ,  H01L 25/065 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/18

FI (8件)：

H01L21/92 604H ,  B23K1/00 330E ,  B23K1/008 C ,  B23K1/20 H ,  B23K31/02 310B ,  B23K3/00 310J ,  H05K3/34 505A ,  H01L25/08 Z

Fターム (7件)：

5E319AA03 ,  5E319AB05 ,  5E319AC04 ,  5E319BB04 ,  5E319CC33 ,  5E319CD25 ,  5E319GG15