特許

J-GLOBAL ID：201303078660329665

増幅回路および窒化物半導体装置

発明者： 宮澤 直行
出願人/特許権者： 住友電工デバイス・イノベーション株式会社
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-141102
公開番号（公開出願番号）：特開2013-009200
出願日： 2011年06月24日
公開日（公表日）： 2013年01月10日
要約：

【課題】大電力入力時に、出力電力の低下またはゲインの低下を抑制し、かつドレインアイドル電流のドリフトが生じた場合に、ゲインの低下またはひずみ特性の劣化を抑制すること。【解決手段】Si基板またはSiC基板と前記Si基板またはSiC基板上に形成された窒化物半導体層とを有し、かつ高周波信号がゲート端子に入力されるFET10からなるパワーアンプ11と、前記パワーアンプのドレインアイドル電流を検出する検出部12と、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値より小さい場合は、前記ドレインアイドル電流に応じたゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力し、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値以上の場合は、固定値のゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力する制御部14と、を具備する増幅回路【選択図】図4

請求項（抜粋）：

Si基板またはSiC基板と前記Si基板またはSiC基板上に形成された窒化物半導体層とを有し、かつ高周波信号がゲート端子に入力されるFETからなるパワーアンプと、 前記パワーアンプのドレインアイドル電流を検出する検出部と、 前記検出されたドレインアイドル電流が所定値より小さい場合は、前記ドレインアイドル電流に応じたゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力し、前記検出されたドレインアイドル電流が所定値以上の場合は、固定値のゲートバイアス電圧を前記パワーアンプのゲート端子に出力する制御部と、 を具備することを特徴とする増幅回路。

IPC (3件)：

H03F 1/32 ,  H03F 3/24 ,  H03F 1/02

FI (3件)：

H03F1/32 ,  H03F3/24 ,  H03F1/02

Fターム (31件)：

5J500AA01 ,  5J500AA41 ,  5J500AC02 ,  5J500AC12 ,  5J500AC21 ,  5J500AC81 ,  5J500AF08 ,  5J500AF10 ,  5J500AF17 ,  5J500AF18 ,  5J500AH09 ,  5J500AH19 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AH33 ,  5J500AH38 ,  5J500AH39 ,  5J500AK01 ,  5J500AK12 ,  5J500AK51 ,  5J500AK55 ,  5J500AM13 ,  5J500AQ02 ,  5J500AS14 ,  5J500AT01 ,  5J500NG01 ,  5J500NG06 ,  5J500NH08 ,  5J500NH09 ,  5J500NH15 ,  5J500RG09

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 増幅器、送信装置および利得補償方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-120189   出願人：富士通株式会社
• 窒化物半導体装置、ドハティ増幅器、ドレイン電圧制御増幅器
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-226594   出願人：富士通株式会社