特許

J-GLOBAL ID：201303078701952470

原子層堆積(ALD)用の反応器、及び透明なAl2O3膜の堆積によるOLEDデバイスの封止への応用

発明者： トニー マンドロン
出願人/特許権者： コミッサリア タ レネルジー アトミク エ オ エネルジー オルタネイティヴ
代理人 (7件)： 辻居 幸一 ,  熊倉 禎男 ,  弟子丸 健 ,  井野 砂里 ,  松下 満 ,  倉澤 伊知郎 ,  岡本 和道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-101660
公開番号（公開出願番号）：特開2013-227677
出願日： 2013年04月22日
公開日（公表日）： 2013年11月07日
要約：

【課題】原子層堆積用の反応チャンバ内に存在する微粒子密度を減少させる。【解決手段】本発明は、原子層堆積(ALD)用反応器(1)に関し、この反応器は、-プラテン(100)を備えていて内部が表面によって画定された反応チャンバ(100)と、-入口オリフィス(11)及び出口オリフィス(12)とを有し、各オリフィスは、チャンバ(100)を画定している上面、下面及び側面のうちの1つから現れている。この反応器は、この中に、少なくとも1つのオリフィスが穿孔された壁(104)を更に備え、穿孔壁は、プラテンの周りに且つ下面(102)と上面(101)との間の高さの少なくとも大部分にわたって延び、穿孔壁の少なくとも1つのオリフィスは、各入口オリフィスからプラテンまでのガス状前駆物質の流れ中にシケインを生じさせるため、入口オリフィスに対向していない。【選択図】図3A

請求項（抜粋）：

原子層堆積(ALD)用の反応器(1)であって、 -基板を支持するように設計されたプラテン(100)を備えた反応チャンバ(10)を有し、前記反応チャンバは、内部が上面(101)、下面(102)及び前記上面と前記下面との間の側面(103)によって画定され、 -前記チャンバを画定している前記上面、下面及び側面のうちの1つから現れている少なくとも1つの入口オリフィス(11)を有し、少なくとも1つのガス状前駆物質を前記入口オリフィスから前記反応チャンバに直接注入することができ、 -前記チャンバを画定している前記上面、下面及び側面のうちの1つから現れている少なくとも1つの出口オリフィス(12)を有し、前記反応チャンバ内に存在するガス状化学種又は微粒子を前記出口オリフィスから排出することができる、反応器において、 前記反応チャンバは、該反応チャンバ内に、少なくとも1つのオリフィス(1040.1,1041.1;1040.2,1041.2;1040.3,1041.3)が穿孔された少なくとも1つの壁(104.1,104.2,104.3)を更に有し、前記穿孔壁は、前記プラテンの周りに且つ前記下面と前記上面との間の高さの少なくとも大部分にわたって延び、前記穿孔壁のうちの少なくとも1つの穿孔壁の前記少なくとも1つのオリフィスは、各入口オリフィス(11)から前記プラテン(100)までのガス状前駆物質の流れ中にシケインを形成するため、前記入口オリフィスには対向していない ことを特徴とする反応器。

IPC (4件)：

C23C 16/455 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (4件)：

C23C16/455 ,  C23C16/40 ,  H01L21/31 B ,  H01L21/316 X

Fターム (29件)：

4K030AA11 ,  4K030AA14 ,  4K030AA18 ,  4K030BA43 ,  4K030CA06 ,  4K030CA12 ,  4K030EA06 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030KA02 ,  4K030LA18 ,  5F045AA04 ,  5F045AA15 ,  5F045AB31 ,  5F045AC08 ,  5F045BB12 ,  5F045BB15 ,  5F045CA10 ,  5F045EE20 ,  5F045EF13 ,  5F045EF20 ,  5F045EG01 ,  5F058BA07 ,  5F058BC03 ,  5F058BF02 ,  5F058BF06 ,  5F058BF27 ,  5F058BF29 ,  5F058BJ03