特許
J-GLOBAL ID：201303078917530030
装置
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-049552
公開番号（公開出願番号）：特開2002-252173
特許番号：特許第4959876号
出願日： 2001年02月26日
公開日（公表日）： 2002年09月06日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 シリコン膜にレーザービームを照射する装置であって、
シリコン膜に照射する前記レーザービームを発生させるレーザー装置と、
前記レーザー装置と前記シリコン膜との聞に設けられ、前記シリコン膜における前記レーザービームの照射位置を水平に囲む高周波を印加する加熱コイルと、を有し、
前記加熱コイルは、矩形コイルで、高周波誘導加熱により、前記シリコンの溶融状態を維持するものであり、
前記矩形コイルに囲まれた領域を通って、前記レーザービームが前記シリコン膜に照射されることを特徴とする装置。
IPC (5件)：
H01L 21/20 ( 200 6.01)
, G02F 1/1368 ( 200 6.01)
, H01L 21/268 ( 200 6.01)
, H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/786 ( 200 6.01)
H01L 21/20
, G02F 1/136
, H01L 21/268 G
, H01L 21/268 Z
, H01L 29/78 627 G
