特許
J-GLOBAL ID:201303079364464715
コンタクトリング、端縁シールおよびコンタクトリングのアセンブリ
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
龍華国際特許業務法人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2013-073905
公開番号(公開出願番号):特開2013-167022
出願日: 2013年03月29日
公開日(公表日): 2013年08月29日
要約:
【課題】 装置内のコンタクト領域の汚染を抑制することを目的として、方法、装置、および、装置のさまざまな構成要素、例えば、ベースプレート、端縁シール、およびコンタクトリングアセンブリを提供する。【解決手段】汚染が発生し得る状況として、電気メッキプロセス後に装置から半導体ウェハを取り出す時が挙げられる。特定の実施形態によると、疎水性コーティング、例えばポリアミドイミド(PAI)コーティング、および、時にポリテトラフルオロエチレン(PTFE)コーティング712が設けられるベースプレートを用いる。また、コンタクトリングアセンブリのコンタクト端部は、端縁シールのシール端縁からの距離を大きくして配置されるとしてよい。特定の実施形態によると、コンタクトリングアセンブリの一部および/または端縁シールにも同様に、疎水性コーティングを設ける。【選択図】図7E
請求項(抜粋):
電気メッキ中に半導体ウェハを保持すると共に電気メッキ溶液を電気コンタクトに到達させないように構成されているカップにおいて利用されるベースプレートであって、
リング状本体と、
前記リング状本体から内向きに延伸し、エラストマー端縁シールを支持しているナイフ状突起と、
ポリアミドイミド(PAI)を含み、少なくとも前記ナイフ状突起を被覆している疎水性コーティングと
を備え、
前記エラストマー端縁シールは、前記半導体ウェハと係合し、前記電気メッキ溶液が前記電気コンタクトに到達しないようにする
ベースプレート。
IPC (3件):
C25D 17/06
, C25D 17/00
, C25D 7/12
FI (3件):
C25D17/06 C
, C25D17/00 D
, C25D7/12
Fターム (9件):
4K024AA09
, 4K024BB12
, 4K024CB01
, 4K024CB02
, 4K024CB06
, 4K024CB08
, 4K024CB11
, 4K024CB26
, 4K024GA16
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