特許

J-GLOBAL ID：201303079765740820

メモリ用途のセレクタデバイス

発明者： コーエン・マーテンス ,  イウリアナ・ラドゥ ,  ステファン・コーセマンス ,  ピーテル・ブロム
出願人/特許権者： アイメック ,  カトリーケ・ウニフェルジテイト・ルーベン・カー・イュー・ルーベン・アール・アンド・ディ
代理人 (3件)： 山田 卓二 ,  田中 光雄 ,  竹内 三喜夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-258774
公開番号（公開出願番号）：特開2013-115437
出願日： 2012年11月27日
公開日（公表日）： 2013年06月10日
要約：

【課題】本発明は、メモリ用途のセレクタデバイスに関する。【解決手段】本発明に係るセレクタデバイスは、MIT素子およびこれに熱的に連動する分割ヒータを備えたメモリアレイ内のメモリ素子を選択するためのセレクタデバイスであって、MIT素子は、MIT材料構成要素とバリア構成要素とを有し、分割ヒータを用いて相転移温度より高い温度に加熱されることにより、高抵抗状態から低抵抗状態に切り換え可能であり、バリア構成要素は、高抵抗状態にあるMIT素子の抵抗値を大きくするように構成されたことを特徴とするものである。セレクタデバイス。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

MIT素子およびこれに熱的に連動する分割ヒータを備えたメモリアレイ内のメモリ素子を選択するためのセレクタデバイスであって、 MIT素子は、MIT材料構成要素とバリア構成要素とを有し、分割ヒータを用いて相転移温度より高い温度に加熱されることにより、高抵抗状態から低抵抗状態に切り換え可能であり、 バリア構成要素は、高抵抗状態にあるMIT素子の抵抗値を大きくするように構成されたことを特徴とするセレクタデバイス。

IPC (3件)：

H01L 27/105 ,  H01L 45/00 ,  H01L 49/00

FI (3件)：

H01L27/10 448 ,  H01L45/00 Z ,  H01L49/00 Z

Fターム (8件)：

5F083FZ10 ,  5F083GA10 ,  5F083JA36 ,  5F083JA37 ,  5F083JA39 ,  5F083JA40 ,  5F083JA56 ,  5F083JA60