シリコン酸化物膜の成膜方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高山宏志
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-204155
公開番号（公開出願番号）：特開2013-110385
出願日： 2012年09月18日
公開日（公表日）： 2013年06月06日
要約：

【課題】表面ラフネスが良好なシリコン酸化物膜を得ることが可能なシリコン酸化物膜の成膜方法を提供すること。【解決手段】下地1上にシード層2を形成する工程と、シード層2上にシリコン膜3を形成する工程と、シリコン膜3及びシード層2を酸化し、下地1上にシリコン酸化物膜4を形成する工程と、を具備する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

(1) 下地上にシード層を形成する工程と、 (2) 前記シード層上にシリコン膜を形成する工程と、 (3) 前記シリコン膜及び前記シード層を酸化し、前記下地上にシリコン酸化物膜を形成する工程と、を具備することを特徴とするシリコン酸化物膜の成膜方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 , C23C 16/24 , C23C 16/56

FI (3件)：

H01L21/316 S , C23C16/24 , C23C16/56

Fターム (17件)：

4K030AA06 , 4K030AA17 , 4K030BA30 , 4K030BA44 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA09 , 4K030FA10 , 4K030JA10 , 4K030LA02 , 4K030LA15 , 5F058BA20 , 5F058BC02 , 5F058BF54 , 5F058BF55 , 5F058BF60 , 5F058BF61

引用特許：

審査官引用 (9件)

半導体装置の製造方法および基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-152031 出願人：株式会社日立国際電気
半導体装置の製造方法、基板処理方法および基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-223492 出願人：株式会社日立国際電気
半導体デバイスの製造方法および基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-134061 出願人：株式会社日立国際電気

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