特許
J-GLOBAL ID：201303079985432604
高精度マッハツェンダー干渉計を有する光変調器の特性評価方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
廣瀬 隆行
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-501691
特許番号：特許第5137042号
出願日： 2008年03月07日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 マッハツェンダー干渉計(MZ干渉計)を含む,光変調器の特性を評価する方法であって,
前記MZ干渉計は,分波部と,2つのアームと,合波部と,電極とを含み,
前記2つのアームは,前記分波部と接続され,
前記合波部は,前記2つのアームと接続され,
前記電極は,前記2つのアームにバイアス電圧を印加でき,
前記電極は,前記2つのアームに変調信号を印加でき,
バイアス電圧を調整する工程と,0次成分を消去する工程と,出力強度を測定する工程と,特性を評価する工程とを含み,
前記バイアス電圧を調整する工程は,前記MZ干渉計の2つのアームに印加するバイアス電圧の位相差をπとする工程であり;
前記0次成分を消去する工程は,前記MZ干渉計からの出力光の0次成分の強度が0となるように光変調器を調整する工程であり;
前記出力強度を測定する工程は,前記0次成分を消去する工程により0次成分が消去されたMZ干渉計からの出力光に含まれる1次成分の強度及び2次成分の強度を求める工程であり;
前記特性を評価する工程は,前記出力強度を測定する工程で測定された1次成分の強度及び2次成分の強度を用いて,前記MZ干渉計の特性を評価する工程である,
方法。
IPC (2件)：
G01M 11/00 ( 200 6.01)
, G02F 1/01 ( 200 6.01)
G01M 11/00 T
, G02F 1/01 B
