特許

J-GLOBAL ID：201303080229791810

オプトエレクトロニクス素子及びその製造方法

発明者： ヴォルフガング シュミート ,  クリストフ クレンプ ,  アルバロ ゴメス-イグレシアス
出願人/特許権者： オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング
代理人 (2件)： アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  久野 琢也
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-534285
公開番号（公開出願番号）：特表2013-540365
出願日： 2011年10月17日
公開日（公表日）： 2013年10月31日
要約：

本願発明は、半導体(1)と、誘電層(2)と、ミラー(3)と、追加層(4)とを備えたオプトエレクトロニクス素子(10)に関するものである。ここでの半導体(1)は、電磁ビームを生成するための活性領域(1c)と、電気的なコンタクト形成のためのn型コンタクト(1a)とp型コンタクト(1b)とを有している。また前記誘電層(2)は、前記半導体(1)と前記ミラー(3)との間に配置され、前記追加層(4)は、前記半導体(1)と前記誘電層(2)との間に配置されている。さらに本発明は前記オプトエレクトロニクス素子(10)の製造方法にも関している。

請求項（抜粋）：

半導体(1)と、誘電層(2)と、ミラー(3)と、追加層(4)とを有するオプトエレクトロニクス素子(10)であって、 前記半導体(1)は、電磁ビームを生成するための活性領域(1c)と、電気的なコンタクト形成のためのn型コンタクト(1a)及びp型コンタクト(1b)とを有しており、 前記誘電層(2)は、前記半導体(1)と前記ミラー(3)との間に配置され、さらに、前記追加層(4)が前記半導体(1)と前記誘電層(2)との間に配置されていることを特徴とするオプトエレクトロニクス素子。

IPC (1件)：

H01L 33/10

FI (1件)：

H01L33/00 130

Fターム (6件)：

5F141AA03 ,  5F141CA04 ,  5F141CA05 ,  5F141CA12 ,  5F141CA35 ,  5F141CB15