特許
J-GLOBAL ID：201303081037815665
微細孔を備えた基板及び該基板の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (5件)：
志賀 正武
, 棚井 澄雄
, 五十嵐 光永
, 小室 敏雄
, 清水 雄一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-284753
公開番号（公開出願番号）：特開2013-133259
出願日： 2011年12月27日
公開日（公表日）： 2013年07月08日
要約：
【課題】改質部形成の信頼性が向上した、微細孔を備えた基板の製造方法、および該製造方法によって得られた基板の提供を課題とする。【解決手段】基板1の内部にピコ秒オーダー以下のパルス時間幅を有するレーザー光Lを照射し、レーザー光Lのパルス毎の焦点領域F同士が少なくとも一部で重なるようにレーザー光Lを走査し、焦点領域Fが通過した領域にエッチング耐性が低下した改質部2を形成する改質工程と、改質部2をエッチングして微細孔を形成するエッチング工程と、を含む微細孔を備えた基板の製造方法であって、パルスピッチを0.001μm以上0.08μm未満とし、基板1の内部におけるレーザー光Lの光軸とレーザー光Lの焦点領域Fの走査方向とのなす角が3〜90度である、微細孔を備えた基板の製造方法。ここで、前記パルスピッチ(μm)=前記レーザー光の走査速度(μm/sec)}/{前記レーザー光の繰り返し周波数(Hz)}である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板の内部にピコ秒オーダー以下のパルス時間幅を有するレーザー光を照射し、前記レーザー光のパルス毎の焦点領域同士が少なくとも一部で重なるように前記レーザー光を走査し、前記焦点領域が通過した領域にエッチング耐性が低下した改質部を形成する改質工程と、
前記改質部をエッチングして微細孔を形成するエッチング工程と、を含む微細孔を備えた基板の製造方法であって、
下記式(1)で表されるパルスピッチを0.001μm以上0.08μm未満とし、
前記基板の内部における前記レーザー光の光軸と前記レーザー光の焦点の走査方向とのなす角が、3〜90度であることを特徴とする微細孔を備えた基板の製造方法。
式(1);パルスピッチ(μm)=前記レーザー光の走査速度(μm/sec)}/{前記レーザー光の繰り返し周波数(Hz)}
IPC (5件)：
C03C 23/00
, C03C 15/00
, B23K 26/38
, B23K 26/00
, B23K 26/04
C03C23/00 D
, C03C15/00 Z
, B23K26/38 330
, B23K26/00 N
, B23K26/04 Z
4E068AA01
, 4E068AF00
, 4E068CA02
, 4E068CA03
, 4E068CA09
, 4E068CA17
, 4E068DA02
, 4E068DB13
, 4G059AA08
, 4G059AB01
, 4G059AB07
, 4G059AB09
, 4G059AB11
, 4G059AC30
, 4G059BB04
, 4G059BB12
