特許

J-GLOBAL ID：201303081495662401

半導体装置

発明者： 飯塚 洋一
出願人/特許権者： ルネサスエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 加藤 朝道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-036957
公開番号（公開出願番号）：特開2013-172431
出願日： 2012年02月23日
公開日（公表日）： 2013年09月02日
要約：

【課題】チップコストを抑え、消費電力を抑え、温度補償を行い高精度なLC発振器の提供。 【解決手段】LC発振器のインダクタ(L)に並列接続されるキャパシタとして、それぞれの第1端子同士を共通接続し、それぞれの第2端子を前記インダクタの両端に接続した第1の可変容量素子対(C10、C11)と、それぞれの第2端子同士を共通接続し、それぞれの第1端子を前記インダクタの両端に接続した第2の可変容量素子対(C20、C21)とを備える。さらに第1の可変容量素子対(C10、C11)の前記第1端子の共通接続点に電圧を印加する第1の電圧源(30)と、第2の可変容量素子対(C20、C21)の前記第2端子の共通接続点に、温度に依存する電圧(PTAT電圧)を印加する第2の電圧源(40)を備える。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

インダクタとキャパシタの共振回路を含む発振器を備え、 前記キャパシタが、 それぞれの第1端子同士を対向させて接続し、前記第1端子と反対側の第2端子をそれぞれ前記インダクタの両端のノードに接続した第1及び第2の可変容量素子からなる第1の可変容量素子対と、 それぞれの第2端子同士を対向させて接続し、前記第2端子と反対側の第1端子をそれぞれ前記インダクタの両端のノードに接続した第3及び第4の可変容量素子からなる第2の可変容量素子対と、 を備え、 前記第1の可変容量素子対の前記第1端子同士の接続ノードに第1の電圧を印加する第1の電圧源と、 前記第2の可変容量素子対の前記第2端子同士の接続ノードに第2の電圧を印加する第2の電圧源と、 を含む半導体装置。

IPC (3件)：

H03B 5/08 ,  H03B 5/04 ,  H03B 5/12

FI (3件)：

H03B5/08 A ,  H03B5/04 C ,  H03B5/12

Fターム (18件)：

5J081AA02 ,  5J081CC17 ,  5J081CC18 ,  5J081CC44 ,  5J081DD01 ,  5J081DD15 ,  5J081DD20 ,  5J081EE02 ,  5J081EE03 ,  5J081FF11 ,  5J081KK02 ,  5J081KK07 ,  5J081KK22 ,  5J081LL05 ,  5J081MM01 ,  5J081MM03 ,  5J081MM07 ,  5J081MM09