特許
J-GLOBAL ID:201303081941956848

電子部品

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2011-253558
公開番号(公開出願番号):特開2013-110239
出願日: 2011年11月21日
公開日(公表日): 2013年06月06日
要約:
【課題】Niめっき層中に吸蔵された水素を低減し、IR特性が劣化しにくく、はんだ付け性に優れたSn層を有する外部端子電極をもつ電子部品を提供する【解決手段】セラミック層と、内部電極と、前記内部電極と電気的に接続される外部電極層を有する電子部品において、前記外部電極層上に設けられるNiめっき層と、前記Niめっき層上に設けられるSnを主成分とするSn層と、を備え、前記Sn層は底部を有する開孔部を備えることを特徴とする電子部品。 【選択図】図3
請求項(抜粋):
セラミック層と、内部電極と、前記内部電極と電気的に接続される外部電極層を有する電子部品において、前記外部電極層上に設けられるNiめっき層と、前記Niめっき層上に設けられるSnを主成分とするSn層と、を備え、前記Sn層は底部を有する開孔部を備えることを特徴とする電子部品。
IPC (4件):
H01G 4/252 ,  H01G 4/228 ,  H01G 4/232 ,  H01G 4/30
FI (5件):
H01G1/14 V ,  H01G1/14 F ,  H01G4/12 352 ,  H01G4/12 361 ,  H01G4/30 301B
Fターム (7件):
5E001AB03 ,  5E001AF02 ,  5E082AB03 ,  5E082GG10 ,  5E082GG28 ,  5E082PP08 ,  5E082PP09
引用特許:
審査官引用 (5件)
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