特許

J-GLOBAL ID：201303082825016273

半導体デバイス

発明者： 堤 香津雄
出願人/特許権者： エクセルギー工学研究所株式会社
代理人 (1件)： 鹿嶌 宗
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-080027
公開番号（公開出願番号）：特開2013-152952
出願日： 2013年04月06日
公開日（公表日）： 2013年08月08日
要約：

【課題】従来の半導体デバイスは、半導体デバイス内部の温度の上昇を抑制することが困難であった。半導体デバイス内部に冷媒を流したパイプ等を設ければ、半導体デバイス寸法が大きくなる。【解決手段】N型半導体およびP型半導体を筒状外装体の軸方向に積層して、N型半導体およびP型半導体の一方の半導体の外径を外装体の内径より大きくすることにより、N型半導体またはP型半導を外装体に密に接触させることにより、半導体内部の熱伝達の向上を図り、半導体デバイスの温度上昇を抑制する。【選択図】 図3

請求項（抜粋）：

N型半導体とP型半導体とを複数備えた半導体デバイスにおいて、 円筒形の外装体の内部に、前記半導体が前記外装体の軸方向に積層されていて、 冷媒を流すための通路を有する導電性の集電体が前記半導体を前記外装体の軸方向に貫通している半導体デバイス。

IPC (3件)：

H01M 10/50 ,  H01M 2/26 ,  H05K 7/20

FI (3件)：

H01M10/50 ,  H01M2/26 A ,  H05K7/20 E

Fターム (23件)：

5E322AA01 ,  5E322AA11 ,  5E322AB08 ,  5E322AB11 ,  5E322BA01 ,  5E322BA03 ,  5E322FA01 ,  5H031AA00 ,  5H031AA08 ,  5H031HH06 ,  5H031HH08 ,  5H031KK06 ,  5H043AA05 ,  5H043AA09 ,  5H043CA02 ,  5H043DA03 ,  5H043DA09 ,  5H043DA17 ,  5H043EA34 ,  5H043EA37 ,  5H043EA38 ,  5H043KA31E ,  5H043LA21E

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 特開平4-171849
  

審査官引用 (1件)

• 特開平4-171849