特許

J-GLOBAL ID：201303083109943283

半導体装置の製造方法

発明者： 土屋 義規 ,  四戸 孝
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (3件)： 池上 徹真 ,  須藤 章 ,  松山 允之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-195979
公開番号（公開出願番号）：特開2013-058602
出願日： 2011年09月08日
公開日（公表日）： 2013年03月28日
要約：

【課題】SiC基板上に形成されたデバイスに対して、低温の熱工程にて良好なオーミック特性を備える電極を実現する半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】実施の形態の半導体装置の製造方法は、炭化珪素(SiC)で形成されるn型不純物領域上およびp型不純物領域上に金属シリサイド膜を形成し、n型不純物領域上の金属シリサイド膜中にリン(P)をイオン注入し、第1の熱処理を行い、p型不純物領域上の金属シリサイド膜中にアルミニウム(Al)をイオン注入し、第1の熱処理よりも低温の第2の熱処理を行う【選択図】図1

請求項（抜粋）：

炭化珪素(SiC)で形成されるn型不純物領域上およびp型不純物領域上に金属シリサイド膜を形成し、 前記n型不純物領域上の前記金属シリサイド膜中にリン(P)をイオン注入し、 第1の熱処理を行い、 前記p型不純物領域上の前記金属シリサイド膜中にアルミニウム(Al)をイオン注入し、 前記第1の熱処理よりも低温の第2の熱処理を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (9件)：

H01L 21/336 ,  H01L 29/78 ,  H01L 29/12 ,  H01L 29/739 ,  H01L 21/28 ,  H01L 29/417 ,  H01L 29/861 ,  H01L 29/868 ,  H01L 29/06

FI (13件)：

H01L29/78 658F ,  H01L29/78 652M ,  H01L29/78 652T ,  H01L29/78 652L ,  H01L29/78 655A ,  H01L21/28 301B ,  H01L21/28 301S ,  H01L29/50 M ,  H01L29/91 F ,  H01L29/91 K ,  H01L29/91 D ,  H01L29/06 301D ,  H01L21/28 B

Fターム (22件)：

4M104AA03 ,  4M104BB20 ,  4M104BB21 ,  4M104BB22 ,  4M104BB23 ,  4M104BB24 ,  4M104BB25 ,  4M104BB27 ,  4M104CC01 ,  4M104DD22 ,  4M104DD79 ,  4M104DD82 ,  4M104DD84 ,  4M104DD91 ,  4M104FF13 ,  4M104FF31 ,  4M104FF32 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  4M104GG18 ,  4M104HH15 ,  4M104HH20