特許

J-GLOBAL ID：201303083366113291

半導体素子実装基板の放熱構造

発明者： 清水 靖博 ,  師橋 大吉
出願人/特許権者： オリンパス株式会社
代理人 (1件)： 酒井 宏明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-093970
公開番号（公開出願番号）：特開2013-223124
出願日： 2012年04月17日
公開日（公表日）： 2013年10月28日
要約：

【課題】大型化および重量の増大を防止しつつ、放熱の効率化をはかることができる撮像素子実装基板の放熱構造を提供すること。【解決手段】撮像素子20を実装する配線基板30の放熱構造であって、配線基板30の撮像素子20の実装面の裏面に形成された凹部31,32と、少なくとも凹部31,32の一部に設けられた放熱部材40と、配線基板30に設けられ、撮像素子20の実装面および熱放熱部材40を連結し、配線基板30よりも高い熱伝導率を有するスルーホールTH1〜TH3と、を備えた。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

半導体素子を実装する基板の放熱構造であって、 前記基板の表面のうち、前記半導体素子の実装面の裏側に位置する裏面に形成された凹部と、 少なくとも前記凹部の一部に設けられた熱伝導層と、 前記基板に設けられ、前記半導体素子の実装面および前記熱伝導層を連結し、前記基板よりも高い熱伝導率を有する熱連結部と、 を備えたことを特徴とする半導体素子実装基板の放熱構造。

IPC (3件)：

H04N 5/335 ,  H04N 5/225 ,  H01L 27/14

FI (3件)：

H04N5/335 ,  H04N5/225 E ,  H01L27/14 D

Fターム (17件)：

4M118AB01 ,  4M118BA06 ,  4M118CA02 ,  4M118HA02 ,  4M118HA24 ,  4M118HA25 ,  4M118HA30 ,  4M118HA33 ,  4M118HA36 ,  5C024BX01 ,  5C024CX03 ,  5C024EX26 ,  5C122DA03 ,  5C122EA03 ,  5C122EA22 ,  5C122EA59 ,  5C122GE10