第13族窒化物結晶の製造方法及び第13族窒化物結晶

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (6件)：川口嘉之 , 高田大輔 , 佐貫伸一 , 丹羽武司 , 香坂薫 , 下田俊明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-083225
公開番号（公開出願番号）：特開2013-212945
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月17日
要約：

【課題】結晶面(結晶軸)の反りを改善することができる第13族窒化物結晶の製造方法を提供する。【解決手段】下地基板1の外周4をサセプター2上に押さえる押止機構を備える結晶成長装置を用いて、下地基板1の外周4を押さえながら結晶成長を進めることにより、結晶面(結晶軸)の反りが小さい高品質な第13族窒化物結晶を製造することができる。前記押止機構の好ましい構造の例としてネジ式サセプターが挙げられる。前記ネジ式サセプターは、円板状の下地基板に合わせた構造になっており、押さえ8とサセプター2とがネジのオス構造とメス構造を有したネジ式構造になって、押さえ8がサセプターに対して上下に移動することが可能である。押さえ8又はサセプター2を回し、押さえ8とサセプター2の空間を狭めることにより、押さえ8が緩衝材9を介して下地基板1をサセプター2上に押さえることができる。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

サセプターに配置された下地基板の主面上に第13族窒化物結晶層を成長させる成長工程を含む第13族窒化物結晶の製造方法であって、前記成長工程が、前記下地基板の外周をサセプター上に押さえる押止機構を備える結晶成長装置を用いて行われることを特徴とする、第13族窒化物結晶の製造方法。

IPC (5件)：

C30B 29/38 , C30B 25/12 , C23C 16/34 , C23C 16/458 , H01L 21/205

FI (5件)：

C30B29/38 D , C30B25/12 , C23C16/34 , C23C16/458 , H01L21/205

Fターム (52件)：

4G077AA02 , 4G077AA03 , 4G077BE15 , 4G077DB05 , 4G077EG03 , 4G077HA02 , 4G077HA12 , 4G077TA12 , 4G077TB05 , 4G077TF04 , 4K030AA03 , 4K030AA13 , 4K030AA17 , 4K030AA18 , 4K030BA08 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030BB14 , 4K030CA04 , 4K030CA12 , 4K030DA05 , 4K030FA10 , 4K030GA02 , 4K030HA01 , 4K030JA03 , 4K030JA20 , 5F045AA01 , 5F045AA02 , 5F045AB14 , 5F045AC12 , 5F045AC13 , 5F045AC15 , 5F045AC18 , 5F045AC19 , 5F045AD13 , 5F045AD14 , 5F045AF04 , 5F045AF20 , 5F045BB11 , 5F045CA09 , 5F045DA53 , 5F045DB01 , 5F045DP03 , 5F045DP28 , 5F045DQ08 , 5F045EF09 , 5F045EK06 , 5F045EM03 , 5F045GB11 , 5F045GH08 , 5F045GH09 , 5F045GH10

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