特許

J-GLOBAL ID：201303084204194880

キセノンフラッシュランプ

発明者： 折戸 日出海 ,  佐藤 和明 ,  堀井 大祐 ,  渡邉 朋也
出願人/特許権者： 岩崎電気株式会社
代理人 (1件)： 早川 利明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-020603
公開番号（公開出願番号）：特開2013-161558
出願日： 2012年02月02日
公開日（公表日）： 2013年08月19日
要約：

【課題】陰極電極周囲の発光管における黒化又は白濁を抑制し、要求された点灯条件の下で20万回以上繰り返しフラッシュ点灯させる。【解決手段】キセノンフラッシュランプ10は、円柱状タングステン基体24とタングステン基体24の先端側に同軸状に密着して配置された円柱状焼結チップ32とを有する陰極電極22が、石英ガラスからなる発光管11の端部に設けられる。焼結チップ32は、高融点金属焼結体の空隙に易電子放射性物質を含浸させ焼き締めて形成され、その直径は基体24の直径dよりも大きいことを特徴とする。基体24の直径dに対する焼結チップ32の直径Dの比(D/d)が1.1〜2.0であり、基体24に対する焼結チップ32の、電極軸方向の長さの比(L/n)が1.0〜2.5であることが好ましい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

円柱状タングステン基体(24)と前記タングステン基体(24)の先端側に同軸状に密着して配置された円柱状焼結チップ(32)とを有する陰極電極(22)が、石英ガラスからなる発光管(11)の端部に設けられたキセノンフラッシュランプにおいて、 前記焼結チップ(32)は、高融点金属焼結体の空隙に易電子放射性物質を含浸させ焼き締めて形成され、その直径は前記基体(24)の直径よりも大きいことを特徴とするキセノンフラッシュランプ。

IPC (2件)：

H01J 61/067 ,  H01J 61/80

FI (2件)：

H01J61/067 N ,  H01J61/80

Fターム (6件)：

5C015AA04 ,  5C015BB02 ,  5C015CC04 ,  5C039HH04 ,  5C039HH05 ,  5C039HH15

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 含浸型電極および放電ランプ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-299422   出願人：東芝ライテック株式会社, ハリソン東芝ライティング株式会社
• ロングアークキセノンフラッシュランプ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2007-113848   出願人：独立行政法人産業技術総合研究所
• キセノンフラッシュランプ点灯装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2010-131872   出願人：岩崎電気株式会社
• フラッシュランプとその電極ユニット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-315375   出願人：岩崎電気株式会社