特許
J-GLOBAL ID：201303084232268767
基板処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-189811
公開番号（公開出願番号）：特開2013-051374
出願日： 2011年08月31日
公開日（公表日）： 2013年03月14日
要約：
【課題】処理室へ供給されるガスを充分に加熱することにより、ヘイズやスリップに起因する成膜不良を抑制することができる技術を提供する。【解決手段】本発明における特徴は、例えば、図2に示すように、処理室209の外壁205とインナーチューブ206の間にガス導入空間210を設け、このガス導入空間210内に誘導加熱するための加熱体207を設けている点にある。これにより、ガス供給部211から供給される原料ガスは、まず、処理室209の内部に導入される前に先立って、ガス導入空間210内に導入され、このガス導入空間210に設けられている加熱体207によって加熱される。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
(a)基板を処理する処理室と、
(b)前記処理室の外壁に設けられた複数の噴出孔と、
(c)前記処理室を囲むように設けられたチューブと、
(d)前記処理室と前記チューブで挟まれたガス導入空間と、
(e)前記ガス導入空間に接触するように設けられた加熱体と、を備えることを特徴とする基板処理装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
Fターム (31件)：
4K030AA06
, 4K030AA17
, 4K030BA29
, 4K030CA04
, 4K030CA12
, 4K030EA03
, 4K030FA10
, 4K030GA06
, 4K030KA09
, 4K030KA25
, 5F045AA06
, 5F045AB01
, 5F045AB02
, 5F045AC03
, 5F045AC05
, 5F045AC19
, 5F045AD13
, 5F045AD14
, 5F045AD15
, 5F045AE25
, 5F045AF03
, 5F045BB13
, 5F045DP19
, 5F045DP28
, 5F045DQ05
, 5F045EB08
, 5F045EC02
, 5F045EE20
, 5F045EF03
, 5F045EF09
, 5F045EK02
