特許

J-GLOBAL ID：201303084378079273

半導体受光素子及びその製造方法

発明者： 堂本 新一
出願人/特許権者： 住友電工デバイス・イノベーション株式会社
代理人 (1件)： 片山 修平
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-081964
公開番号（公開出願番号）：特開2013-211478
出願日： 2012年03月30日
公開日（公表日）： 2013年10月10日
要約：

【課題】寄生容量を低減させ、且つ配線の断線を抑制させる。【解決手段】半導体受光素子は、InP基板10上に設けられ、n型InP層22aとp型InP層26とを含む積層構造を備えたメサ状の受光部20と、InP基板上に設けられ、受光部と同じ積層構造を含むメサ状の電極接続部30a〜30dと、電極接続部30aと受光部との間に埋め込まれた樹脂膜16と、樹脂膜上を延在して設けられ、p電極パッド40とp型InP層26とを電気的に接続させるp電極配線42及びp側配線44と、受光部における樹脂膜の下に延在したn型InP層22aとn電極パッド50とを電気的に接続させるn電極配線54及びn側配線56と、電極接続部30aにおけるn型InP層32とn型InP層22aとを電気的に分離する溝38aと、を具備し、n電極配線54及びn側配線56の下部には、延在領域全てに渡ってn型InP層22aが設けられてなる。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

半絶縁性基板上に設けられ、第1導電型半導体層と前記第1導電型半導体層と反対導電型の第2導電型半導体層とを含む積層構造を備えたメサ状の受光部と、 前記半絶縁性基板上に設けられ、前記受光部と同じ積層構造を含むメサ状の第1電極接続部およびメサ状の第2電極接続部と、 前記第1電極接続部と前記受光部との間に埋め込まれた樹脂膜と、 前記樹脂膜上を延在して設けられ、前記第1電極接続部上の電極パッドと前記受光部における前記第2導電型半導体層とを電気的に接続させる第1配線と、 前記受光部における前記樹脂膜の下に延在した前記第1導電型半導体層と、前記第2電極接続部上の電極パッドと、を電気的に接続させる第2配線と、 前記第1電極接続部における第1導電型半導体層と前記受光部における前記第1導電型半導体層とを電気的に分離する溝と、を具備し、 前記第2配線の下部には、前記第2配線の延在領域全てに渡って前記第1導電型半導体層が設けられてなることを特徴とする半導体受光素子。

IPC (1件)：

H01L 31/10

FI (1件)：

H01L31/10 H

Fターム (17件)：

5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA15 ,  5F049PA04 ,  5F049PA14 ,  5F049PA15 ,  5F049QA02 ,  5F049QA06 ,  5F049QA15 ,  5F049SE05 ,  5F049SE09 ,  5F049SE12 ,  5F049SE16 ,  5F049SS04 ,  5F049SZ12 ,  5F049SZ20 ,  5F049WA01

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2009-115364   出願人：日本オプネクスト株式会社