サブストレート基板の領域の物理的絶縁プロセス

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (9件)：志賀正武 , 高橋詔男 , 渡邊隆 , 青山正和 , 鈴木三義 , 松冨豊 , 西和哉 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-238963
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077518
特許番号：特許第4828677号
出願日： 1999年08月25日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 a)後に、ボンディングをはがすことが可能な接着手段を用いて、支持部(102)上に基板をボンディングする段階と、 b)基板内において、基板の領域(110)を定めるトレンチ(106,106a,106b)を形成する段階と、 c)前記ボンディング材料の受容トレーを形成するために、除去可能な境界(112)を、前記ボンディング材料がボンディングしないような材料によってウエハの周囲に形成し、固体状態のときに、固化し、かつ基板(100)にボンディングすることができるように、液体ボンディング材料(120,120a,120b)をトレンチ内に配置する段階と、 d)ボンディング材料の固化の段階とを備えることを特徴とする基板(100)の領域(110)の物理的絶縁プロセス。

IPC (2件)：

H01L 21/762 ( 200 6.01) , H01L 21/02 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 21/76 D , H01L 21/02 B

引用特許：

出願人引用 (3件)

特開平2-005447
特公昭44-009027
特開昭61-280660

審査官引用 (3件)

特開平2-005447
特公昭44-009027
特開昭61-280660

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