特許
J-GLOBAL ID：201303084838948496
修飾基導入基板の製造方法およびリガンド固定化基板の製造方法,修飾基導入基板およびリガンド固定化基板,ならびに,分子間相互作用検出方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
特許業務法人SSINPAT
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-143128
公開番号（公開出願番号）：特開2013-011465
出願日： 2011年06月28日
公開日（公表日）： 2013年01月17日
要約：
【課題】基板へのリガンド固定化操作が簡便であり、かつ、リガンド固定化率の再現性が担保され易い基板の製造方法およびその基板ならびに分子間相互作用検出方法を提供することを課題とする。【解決手段】工程(a):SiN〔窒化ケイ素〕からなる表面を有する基板を準備する工程と、工程(b):基板のSiN〔窒化ケイ素〕からなる表面に、エポキシ基,アジド基,イソシアネート基およびイソチオシアネート基からなる群から選択される少なくとも1つの修飾基を導入する工程を含み、好ましくは工程(c):チオール基,アミノ基およびヒドロキシル基からなる群から選択される少なくとも1つの反応基を有するリガンドを、該反応基と上記修飾基との反応を介して、上記基板の表面に固定化する工程を含むことを特徴とする、リガンド固定化基板の製造方法。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
工程(a):SiN〔窒化ケイ素〕からなる表面を有する基板を準備する工程と、
工程(b):前記基板のSiNからなる表面に、エポキシ基,アジド基,イソシアネート基およびイソチオシアネート基からなる群から選択される少なくとも1つの修飾基を導入する工程と、を含むことを特徴とする、修飾基導入基板の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
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