特許

J-GLOBAL ID：201303085467047101

レジスト保護膜材料及びパターン形成方法

発明者： 畠山 潤 ,  郡 大佑
出願人/特許権者： 信越化学工業株式会社
代理人 (4件)： 小島 隆司 ,  重松 沙織 ,  小林 克成 ,  石川 武史
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2011-266406
公開番号（公開出願番号）：特開2013-120194
出願日： 2011年12月06日
公開日（公表日）： 2013年06月17日
要約：

【解決手段】ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト保護膜材料による保護膜を形成し、露光、現像を行うパターン形成方法において用いられる、一般式(1)で示されるビスフェノール化合物のノボラック樹脂をベース樹脂とするレジスト保護膜材料。(Rαは同一又は異種の水素原子、アルキル基、アルケニル基、又はアリール基であり、Rβは単結合又は2n価の炭化水素基であり、芳香族基を有していてもよい。nは1〜4の整数を示す。Rγは単結合又はアルキレン基であり、芳香族基を有していてもよい。p、qはそれぞれ1〜3の整数を示す。)【効果】レジスト保護膜材料を適用することによって、大気中のアミンコンタミネーションによるレジストパターンの頭張りを防ぐことができ、レジスト膜への増感効果によってレジスト膜の感度を向上させることができる。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

ウエハーに形成したフォトレジスト層上にレジスト保護膜材料による保護膜を形成し、露光を行った後、現像を行うリソグラフィーによるパターン形成方法において用いるレジスト保護膜材料であって、下記一般式(1)で示されるビスフェノール化合物のノボラック樹脂をベース樹脂とすることを特徴とするレジスト保護膜材料。

IPC (4件)：

G03F 7/11 ,  G03F 7/039 ,  G03F 7/004 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F7/11 501 ,  G03F7/039 601 ,  G03F7/004 503A ,  H01L21/30 575

Fターム (40件)：

2H125AF18P ,  2H125AF34P ,  2H125AH16 ,  2H125AH23 ,  2H125AH24 ,  2H125AJ14X ,  2H125AJ64X ,  2H125AJ65X ,  2H125AJ70X ,  2H125AM12N ,  2H125AM80N ,  2H125AM91N ,  2H125AM94N ,  2H125AM99N ,  2H125AN11N ,  2H125AN24N ,  2H125AN26N ,  2H125AN31N ,  2H125AN36P ,  2H125AN38P ,  2H125AN39P ,  2H125AN42P ,  2H125AN63N ,  2H125AN65N ,  2H125BA01N ,  2H125BA02P ,  2H125BA26P ,  2H125BA32P ,  2H125CA12 ,  2H125CB12 ,  2H125CC03 ,  2H125CC15 ,  2H125CD08P ,  2H125CD35 ,  2H125CD37 ,  2H125DA01 ,  5F146GA21 ,  5F146JA22 ,  5F146PA07 ,  5F146PA11